时间：2025/12/27 10:30:57
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JWK105C6474MP-F是一款由JW（重庆吉光）微电子推出的高压、高可靠性氮化镓（GaN）场效应晶体管，专为高性能电源转换系统设计。该器件基于先进的GaN-on-Si（氮化镓在硅基衬底上）工艺制造，具备低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能等优势，适用于高频高效电源应用场景。JWK105C6474MP-F采用PQFN8封装，具备良好的散热能力和紧凑的尺寸，便于在空间受限的设计中使用。该芯片广泛应用于服务器电源、通信电源、光伏逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）、工业电源以及高密度DC-DC变换器等领域。其高压耐受能力与出色的动态性能使其在替代传统硅基MOSFET方面表现出显著优势，有助于提升系统效率、减小磁性元件体积并降低整体系统成本。此外，该器件内置了多项保护机制，如过温保护和静电放电（ESD）防护，增强了系统运行的稳定性和安全性。
型号：JWK105C6474MP-F
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（e-GaN FET）
漏源电压（VDS）：105V
连续漏极电流（ID）：40A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：120A
导通电阻（RDS(on)）：4.7mΩ（典型值，VGS=5V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.3V ~ 2.0V
输入电容（Ciss）：3500pF（VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz）
输出电容（Coss）：950pF
反向恢复电荷（Qrr）：0C（无体二极管反向恢复）
栅极电荷（Qg）：18nC（VDS=80V, ID=20A, VGS=5V）
开关延迟时间：td(on)=12ns, td(off)=15ns
工作结温范围（Tj）：-40°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：PQFN8（5mm x 6mm）
安装方式：表面贴装（SMD）
JWK105C6474MP-F采用增强型氮化镓（e-GaN）技术，具备极低的导通电阻和极快的开关速度，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了电源系统的整体能效。其RDS(on)仅为4.7mΩ，在相同封装尺寸下相比传统硅MOSFET可减少超过50%的导通损耗，特别适合大电流输出的应用场景。由于GaN器件本身不具备体二极管，因此在硬开关条件下不会产生反向恢复电荷（Qrr = 0），极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提高了系统的可靠性和稳定性。
该器件具有非常低的寄生参数，包括输入、输出和反向传输电容，使得其在高频开关应用中表现优异，支持高达数MHz的开关频率，有助于缩小磁性元件和滤波器的体积，实现更高功率密度的电源设计。同时，其快速的开关响应能力也提升了环路控制的动态响应性能，适用于对瞬态响应要求较高的数字电源系统。
JWK105C6474MP-F采用PQFN8封装，底部带有裸露焊盘，有利于高效散热，确保在高功率密度工作条件下的热稳定性。封装设计符合工业级可靠性标准，具备良好的抗湿性和机械强度，适用于自动化贴片生产流程。此外，器件内部集成栅极驱动匹配设计，兼容常见的硅基MOSFET驱动电路，简化了系统设计迁移过程，降低了开发门槛。
在可靠性方面，该器件通过了严格的AEC-Q101车规级认证测试，具备出色的抗浪涌能力和长期工作稳定性，可在恶劣环境下长时间运行。其宽泛的工作结温范围（-40°C至+150°C）使其适用于高温工业和汽车电子应用。同时，器件具备过温关断保护和高等级ESD防护能力，进一步增强了系统鲁棒性。
JWK105C6474MP-F广泛应用于各类高效、高频电力电子变换系统中。典型应用包括但不限于：大功率DC-DC降压变换器（Buck Converter），尤其是在服务器CPU供电、GPU供电等多相VRM架构中，利用其低RDS(on)和高速开关特性可显著提升转换效率并降低温升；同步整流拓扑中的主开关器件，用于替代传统MOSFET以减少传导损耗；图腾柱无桥PFC（Totem-Pole PFC）电路中作为高频臂开关，得益于其无反向恢复特性，可大幅降低开关损耗并提升PF值；此外，还适用于LLC谐振转换器、Phase-Shifted Full Bridge（PSFB）等软开关拓扑，提升整体系统效率至98%以上。
在新能源领域，该器件可用于电动汽车车载充电机（OBC）、直流快充模块以及光伏微型逆变器中，满足高效率、高功率密度的设计需求。在通信电源系统中，如5G基站电源、数据中心PDUs等，JWK105C6474MP-F能够有效降低能耗和散热需求，提升单位体积的输出功率。同时，其小型化封装也适用于便携式工业设备、高端消费类电源适配器（如GaN充电器）等对体积和效率有严苛要求的产品中。
EPC2212,GAN061-105N
