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JW030C-M 发布时间 时间:2025/7/15 20:49:19 查看 阅读:8

JW030C-M 是一款由国内厂商生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,广泛应用于电源管理、功率开关和电机驱动等电路中。该型号属于N沟道增强型MOSFET,具有较高的导通能力和较低的导通电阻,适合在中低电压应用中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):≤7.5mΩ @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

JW030C-M MOSFET具备优异的导通性能和快速开关响应能力,其低导通电阻有助于降低系统功耗并提高整体效率。
  此外,该器件采用先进的封装技术,具备良好的热稳定性和散热能力,能够在高温环境下稳定运行。
  JW030C-M 还具有较强的过载和短路保护能力,适用于对可靠性要求较高的工业控制和汽车电子系统。
  由于其紧凑的封装设计和高性能指标,该型号非常适合用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关以及各类高频开关电源应用中。

应用

该器件主要应用于电源适配器、充电器、DC-DC转换模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备中的功率开关电路。
  同时,它也被广泛用于LED照明驱动、逆变器、UPS不间断电源等需要高效能功率控制的场合。

替代型号

Si4410BDY-T1-E3, IRF3703PBF, AO4403, STB10NF03L

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