时间：2025/8/5 14:29:44
阅读：7
JTXV1N6141是一种高压MOSFET晶体管，常用于电源管理和开关电路中。它具有高电压承受能力和较低的导通电阻，适合在高效率和高功率密度的应用中使用。这款MOSFET通常采用TO-220或类似封装形式，确保良好的散热性能和电气隔离。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±30V
漏极电流(Id)：11A
导通电阻(Rds(on))：0.38Ω
功率耗散(Pd)：40W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
JTXV1N6141具有优异的高压性能和稳定的导通特性，适用于多种高电压应用。其低导通电阻有助于降低功耗，提高能效。此外，该器件具有较高的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下可靠运行。其封装设计确保了良好的散热能力，使得在高负载条件下仍能保持稳定性能。此外，JTXV1N6141的栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计，提高了系统的整体效率。
在开关性能方面，JTXV1N6141具备快速开关能力，减少开关损耗，适用于高频开关应用。其耐用性和稳定性也使其在恶劣工作条件下表现出色，适用于工业和高可靠性系统。
JTXV1N6141广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、照明系统以及工业自动化设备。其高电压耐受能力和高效能特性也使其在太阳能逆变器、UPS系统和电池管理系统中得到应用。此外，该器件还可用于高功率LED驱动、电源适配器和各种电源管理模块。
STP12NM60ND, FQA13N60C, IRFGB40N60HD}
