类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A
　　功耗（Pd）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.045Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220

JTX2N5516 是一款性能优异的N沟道功率MOSFET，具有以下主要特性：
　　首先，其漏源电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高电压应用场合。同时，该器件的连续漏极电流可达30A，具备较强的电流承载能力，能够驱动较大的负载，如电机、继电器和大功率LED等。
　　其次，JTX2N5516 的导通电阻较低，典型值约为0.045Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的开关速度快，能够实现高效的开关操作，适用于高频DC-DC转换器和PWM控制电路。
　　在热管理方面，JTX2N5516 采用TO-220封装，散热性能良好，能够有效将热量传导至外部散热片，确保在高功率工作状态下仍能保持稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适应性强，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
　　该器件的栅源电压为±20V，具有一定的过压耐受能力，但使用时仍需注意控制栅极驱动电压，以防止栅极氧化层被击穿。此外，MOSFET具有较低的输入电容和栅极电荷，有利于提高开关速度并降低驱动损耗。
　　JTX2N5516 还具备良好的雪崩能量耐受能力，在感性负载开关过程中能够承受一定的反向电压冲击，增强了器件的可靠性和稳定性。

JTX2N5516 主要应用于以下领域：
　　1. 电源管理系统：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等；
　　2. 电机控制：包括直流电机驱动、步进电机控制和电动工具等应用；
　　3. 工业自动化设备：如PLC控制模块、继电器驱动电路、工业电源模块等；
　　4. 汽车电子：包括车载充电系统、电动助力转向系统、车身控制模块等；
　　5. 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统、电池管理系统（BMS）等；
　　6. 家用电器：如变频空调、智能洗衣机、电磁炉等需要功率开关的设备。

IRF1405, FDP3632, STP30NF10, FQP30N10L