时间：2025/9/2 12:28:57
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JTX2N5511 是一款由JTX（江苏天星电子有限公司）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率开关电路中。该器件具备高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适用于各类电源转换器、电机控制和负载开关等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：5A
漏源极击穿电压（VDS）：60V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤0.45Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等
JTX2N5511 MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有优异的导通性能和稳定的开关特性。其低导通电阻可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件具备较高的热阻能力，可在高功率应用中保持良好的工作稳定性。此外，其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V或12V驱动电路，便于在各种电源系统中使用。
该MOSFET还具有良好的抗过载能力和较高的短路耐受性，适用于对可靠性要求较高的工业控制和汽车电子系统。其封装形式多样，便于根据应用需求选择合适的封装以优化散热性能和空间布局。
JTX2N5511 常用于以下应用领域：
- DC-DC转换器和开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件
- 电机驱动和继电器控制电路
- 负载开关和电池管理系统
- 工业自动化设备和电源管理系统
- LED照明驱动电路和智能家电控制系统
2N5511, FQP5N60, IRFZ44N, STP55NF06, SI4410DY
