时间：2025/9/2 17:06:05
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JTX2N5486 是一款常用的场效应晶体管（FET），属于N沟道增强型MOSFET。该器件广泛应用于开关电源、功率放大器、电机控制以及其他需要高效功率管理的电路中。其主要优势在于高输入阻抗、快速开关特性以及较低的导通电阻，使得其在功率转换效率方面表现优异。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：连续10A（25°C）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.044Ω（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：60W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220AB
JTX2N5486 具备出色的导通性能和快速开关能力，适用于高频开关应用。其低导通电阻Rds(on)可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的热稳定性和良好的过载承受能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。JTX2N5486采用TO-220封装，散热性能良好，适合高功率密度设计。该MOSFET还具备静电放电（ESD）保护功能，提高了器件的可靠性和耐用性。在设计中使用该器件可以简化电路结构，提升整体系统性能。
JTX2N5486 常用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路、负载开关、电源管理模块以及各种功率控制设备中。由于其高效能特性，特别适用于便携式电子设备、电动车控制器、工业自动化设备及消费类电子产品中的功率管理应用。
IRFZ44N, FDP6N60, STP10NK60Z
