类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：约 0.35Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

JTX2N1875 作为一款标准的功率 MOSFET，具备多项优良的电气和物理特性。首先，其 N 沟道结构和 TO-220 封装形式使其在中等功率应用中表现出色，能够承受较高的工作电流和电压。最大漏源电压为 60V，最大连续漏极电流为 4A，这使其适用于多种电源转换和控制电路。
　　其次，该器件的导通电阻（Rds(on)）约为 0.35Ω，较低的导通电阻意味着在导通状态下功耗较小，从而提高了整体效率并减少了散热需求。此外，其最大功耗为 40W，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适应不同的环境条件。
　　JTX2N1875 的栅极驱动电压范围为 ±20V，这使其与常见的逻辑电路兼容，便于在数字控制系统中使用。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频应用，如 DC-DC 转换器和 PWM 控制系统。
　　从热管理角度看，TO-220 封装提供了良好的散热性能，有助于延长器件寿命并提高可靠性。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适合在工业级环境中使用。

JTX2N1875 由于其良好的电气性能和稳定性，被广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于构建开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和稳压模块，能够高效地进行电压转换和调节。在电机控制领域，该 MOSFET 可作为 H 桥电路的一部分，用于直流电机的正反转控制和调速应用。
　　此外，JTX2N1875 也常用于音频功率放大器的设计，特别是在 Class D 放大器中，因其快速的开关特性和低导通电阻，能够实现高效率的能量转换，减少发热并提高音质表现。它还适用于 LED 驱动电路、电池充电管理系统以及各种需要功率开关控制的嵌入式系统。
　　在工业自动化和控制设备中，该器件可用于继电器驱动、电磁阀控制以及传感器电源管理。由于其良好的温度适应性和可靠性，JTX2N1875 也常用于户外设备和车载电子系统。

2N6755, IRF510, FDP3N50