类型：NPN型BJT
　　封装类型：SMD
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：15V
　　最大基极-发射极电压：2V
　　最大功耗：100mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　增益带宽积（fT）：10GHz
　　噪声系数：1.2dB（典型值）
　　直流电流增益（hFE）：80-600（根据电流和电压条件）

JTX1N6169US是一款专为射频应用设计的高性能晶体管，其主要特性包括低噪声系数、高增益带宽积以及良好的线性度。该晶体管采用SMD封装，适合表面贴装工艺，从而提高了组装效率并减少了电路板空间占用。此外，其高频性能使其适用于低噪声放大器（LNA）、混频器和振荡器等射频前端电路。
　　该器件的噪声系数在典型工作条件下为1.2dB，这使得它非常适合用于需要高灵敏度的接收器前端。同时，其增益带宽积高达10GHz，确保了在高频下依然具有良好的放大性能。JTX1N6169US的hFE（直流电流增益）范围较宽，可根据不同的工作电流和电压条件提供从80到600的增益值，适用于多种放大需求。
　　由于其SMD封装和良好的热稳定性，JTX1N6169US能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C至+150°C），因此在工业和通信设备中具有较高的可靠性。此外，该晶体管的功耗较低（最大100mW），有助于减少整体功耗并提高系统效率。

JTX1N6169US主要用于射频和微波电路中，常见应用包括低噪声放大器（LNA）、混频器、振荡器和高频放大器。它广泛应用于无线通信设备、卫星接收器、雷达系统、测试仪器以及各种射频模块中。由于其低噪声和高频率特性，该晶体管特别适合用于接收器前端，以提高系统的灵敏度和信号质量。此外，其SMD封装也使其适用于高密度PCB布局和自动化装配工艺。

2SC3355, BFU520, BFG21