JTX1N6167AUS 时间：2025/8/4 22:57:23 阅读：14

JTX1N6167AUS是一款常用的场效应晶体管（FET）芯片，广泛应用于开关电源、功率放大器和电机控制等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备优异的导通特性和高效的开关性能，适用于高频率和高功率的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

JTX1N6167AUS具有低导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具备良好的热稳定性和高耐压能力，使其在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。其快速开关特性使其适用于高频率开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。此外，JTX1N6167AUS还具备较强的抗过载能力和短路保护能力，能够在严苛的工业环境中可靠运行。
　　在封装方面，TO-252（DPAK）封装提供了良好的散热性能，有助于提高器件的长期可靠性。同时，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V和12V驱动电压，方便与各种控制电路兼容。