时间：2025/8/4 22:52:28
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JTX1N6161是一种常用的双极型晶体管（BJT）阵列器件，由日本电气（NEC）公司生产，属于NPN型晶体管。该器件包含多个独立的晶体管单元，通常用于需要多个晶体管配合工作的电路设计中，例如放大器、开关电路、逻辑电路等。JTX1N6161封装形式多为SIP（单列直插）或DIP（双列直插），适合在工业控制、消费电子和通信设备中应用。
晶体类型：NPN型
集电极-发射极电压（Vce）：最大30V
集电极电流（Ic）：每个晶体管最大150mA
功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装形式：SIP7或DIP8
每个封装内晶体管数量：4个独立NPN晶体管
JTX1N6161的主要特性是集成了多个NPN晶体管在一个封装内，极大地节省了PCB布局空间并提高了电路设计的灵活性。每个晶体管单元具有相同的电气参数，可以并联使用以提高电流驱动能力，也可以单独使用以实现复杂的逻辑控制功能。
该器件具有良好的温度稳定性和高频响应能力，适合在多种电子系统中使用。此外，JTX1N6161的封装设计符合标准引脚排列，便于自动化装配和维修更换。由于其高可靠性和广泛适用性，JTX1N6161常被用于工业自动化、家电控制、通信设备和汽车电子等领域。
JTX1N6161广泛应用于需要多个晶体管协同工作的电子系统中。例如，在工业控制设备中，它可用于多路继电器驱动电路；在家电产品中，可作为多路开关控制元件；在通信设备中，可用于信号放大和逻辑转换电路。此外，JTX1N6161也常用于数字电路中的缓冲器、反相器和逻辑门电路设计，以及在LED显示屏驱动电路中作为扫描控制元件。其高集成度和稳定性使其成为替代多个分立晶体管的理想选择。
ULN2003, ULN2004, 2003AP, 2004AP
