类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.8mΩ（在 Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

JTX1N6143 的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统的效率。其 Rds(on) 在 Vgs=10V 下最大为 3.8mΩ，使得该器件在大电流应用中表现出色。
　　此外，JTX1N6143 具有高耐压能力，Vds 额定值为 60V，能够应对各种开关电源和 DC-DC 转换器中常见的电压应力。该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，使其兼容标准的 MOSFET 驱动电路，并具备一定的过压保护能力。
　　在封装方面，JTX1N6143 使用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于自动化生产和高密度 PCB 布局。
　　该 MOSFET 还具有较高的可靠性，工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃，适应各种恶劣的工作环境。同时，其最大功耗为 200W，表明其在高功率密度设计中具有良好的热管理能力。
　　另外，JTX1N6143 的封装设计使其具有较低的热阻，确保在连续高电流工作条件下仍能维持较低的结温，从而延长器件寿命并提高系统稳定性。

JTX1N6143 广泛应用于多个功率电子领域，尤其是在需要高效能、低导通损耗和高可靠性的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的负载开关。
　　在开关电源中，JTX1N6143 可作为主功率开关或同步整流开关使用，其低 Rds(on) 特性可显著降低导通损耗，提高电源效率。在 DC-DC 转换器中，该器件可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，适用于电信设备、服务器电源和电动汽车充电系统等。
　　在电机控制和驱动电路中，JTX1N6143 可用于 H 桥结构，实现高效、快速的电机转向和调速控制。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于工业自动化和电动工具等应用场景。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统中的充放电控制开关，支持高能量密度电池组的安全和高效管理。

SiR1N60、FDP1N60、NTMFD6D410N、AO4406