时间：2025/8/4 15:26:53
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JTX1N6142是一种低电压、高精度的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于电源管理和信号开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻和开关性能，适用于需要高效能和低功耗的电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：1.5A
漏源电压：60V
栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω
封装类型：SOT-23
JTX1N6142 MOSFET具有低导通电阻，能够显著减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，其高耐压能力使其在各种开关电路中表现出色。该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，适用于高温环境下的应用。由于其小尺寸封装，JTX1N6142非常适合用于空间受限的设计。
该MOSFET的栅极驱动要求较低，能够在较低的栅极电压下实现快速导通和关断，从而降低开关损耗。其沟槽结构优化了载流子的流动路径，提高了器件的整体性能。另外，JTX1N6142还具备优异的短路保护能力和抗过载能力，能够在严苛的工况下保持稳定工作。
JTX1N6142常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电源管理单元以及各种便携式电子设备。其低功耗特性和高可靠性使其成为汽车电子、工业控制、消费类电子产品中的理想选择。在需要高效能和小尺寸解决方案的应用中，JTX1N6142表现出色。
2N7002, BSS138, FDV301N
