类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　集电极-基极电压（VCBO）：60V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：200mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据档位不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz

JTX1N6140A晶体管具有多项优良特性，适用于各种通用和中高频应用。
　　首先，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为40V，集电极-基极电压（VCBO）为60V，这意味着该器件可以在相对较高的电压条件下稳定运行，适用于多种中压电路设计。
　　其次，最大集电极电流为200mA，适合用于中等功率的放大和开关应用。最大功耗为300mW，确保在不使用额外散热装置的情况下也能稳定运行。
　　此外，该晶体管采用SOT-23封装，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用，并具有良好的热稳定性和机械强度。
　　电流增益（hFE）范围为110至800，具体数值根据不同的分档（例如hFE分档为O档、Y档、GR档、BL档等）而有所不同，用户可根据具体应用需求选择合适的分档产品。
　　该晶体管的过渡频率（fT）为100MHz，使其在高频放大电路中表现良好，适用于射频和中频信号处理应用。
　　最后，JTX1N6140A的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其具有良好的温度适应性，适用于工业级和汽车电子等对环境温度要求较高的应用场景。

JTX1N6140A晶体管广泛应用于多种电子电路设计中。首先，在通用放大电路中，该晶体管可用于音频放大、信号增强和电压放大等场景，凭借其高增益和高频响应特性，能够有效提升信号质量。
　　其次，在开关电路中，JTX1N6140A可作为电子开关使用，控制LED、继电器、小型电机等负载，其200mA的集电极电流能力足以满足多数中低功率开关需求。
　　此外，该晶体管常用于电源管理系统，例如DC-DC转换器、稳压电路和电池充放电控制电路，其良好的热稳定性和较高的电压耐受能力使其在这些应用中表现出色。
　　由于其高频特性，JTX1N6140A也适用于射频前端模块、无线通信电路和传感器接口电路，能够处理中高频信号并保持良好的线性度。
　　最后，该晶体管适用于工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子系统，其宽温度范围使其能够适应恶劣的工作环境。

BC847系列, 2N3904, MMBT3904, 2N4401