JTX1N6138 时间：2025/8/4 14:33:10 阅读：25

JTX1N6138 是一款由Jiangsu Changjiang Electronics Group Co., Ltd.（长电科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频率开关应用，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热稳定性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等电路中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（在TC=25℃时）
　　脉冲漏极电流（IDM）：480A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤1.7mΩ（当VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　功率耗散（PD）：200W

特性

JTX1N6138 具有极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在大电流工作条件下，MOSFET的导通损耗显著降低，提高了系统的整体效率。其高电流承载能力和优异的热性能，使其在高功率密度设计中表现出色。
　　该器件采用先进的沟槽技术，提高了开关速度并降低了开关损耗，适用于高频开关电源和同步整流电路。此外，JTX1N6138 的封装形式为TO-263（D2PAK），是一种表面贴装封装，具有良好的散热性能，并便于自动化生产。
　　器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容常见的驱动电路，同时具备良好的抗雪崩能力，提高了在极端工作条件下的可靠性。JTX1N6138 还具备较高的短路耐受能力，适合用于电机驱动和电源管理系统等对可靠性和稳定性要求较高的应用场景。

应用

JTX1N6138 主要用于需要高效率、大电流和低导通损耗的功率电子系统中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、服务器电源、工业电源、电机控制器和汽车电子系统等。
　　由于其优异的导通特性和热稳定性，JTX1N6138 在高性能电源转换系统中广泛使用，尤其是在需要高频率工作的场合。例如，在服务器电源模块中，JTX1N6138 可用于同步整流电路，提高转换效率并减少热量产生。在电池管理系统中，该器件可用于高侧或低侧开关，实现对电池充放电的精确控制。此外，JTX1N6138 还适用于电动工具、电动车控制器和UPS不间断电源等高功率应用场景。