类型：NPN 双极型晶体管
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　频率响应（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同的电流条件）
　　噪声系数（NF）：0.5dB（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

JTX1N5617 拥有出色的低噪声性能，使其成为射频和前置放大器应用的理想选择。该晶体管的噪声系数（NF）在典型工作条件下仅为 0.5dB，这在需要高信号完整性的应用中非常关键。此外，JTX1N5617 的电流增益（hFE）范围较宽，从 110 到 800，这使得它可以在不同的电路配置中提供灵活的设计选项。
　　该晶体管的频率响应（fT）高达 100MHz，能够支持高频信号的放大和处理，适用于射频前端电路和中频放大器。JTX1N5617 采用 SOT-23 小型封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于高密度 PCB 设计和便携式电子设备。
　　其最大集电极-发射极电压为 50V，最大集电极电流为 100mA，能够在中等功率水平下稳定工作。最大功耗为 300mW，确保了在较高工作温度下的可靠性。此外，该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用。

JTX1N5617 主要用于射频（RF）放大器和低噪声前置放大器，尤其是在无线通信设备、接收器和信号处理电路中。其低噪声系数和高频率响应使其非常适合用于高频信号的放大和处理。
　　在无线通信系统中，JTX1N5617 可用于射频前端电路，提供低噪声放大，确保信号的高保真度。此外，该晶体管也可用于音频放大器的前置级，提供高增益和低噪声的信号放大。
　　由于其小型化和高密度的设计特点，JTX1N5617 也适用于便携式电子设备和嵌入式系统中的信号处理电路。在这些应用中，JTX1N5617 能够提供可靠的性能，并满足小型化和低功耗的要求。

BC547, 2N3904