类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：100A
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.5mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：320W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　极性：N沟道

JTANTX2N1988具备多项优良的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。该特性对于高电流应用场景尤为重要，例如在DC-DC转换器和同步整流器中，可以有效减少发热并提高能源利用率。
　　其次，该器件的最大漏极电流可达100A，支持高功率负载，适用于高电流输出的电源系统和电机驱动应用。其最大漏源电压为60V，能够满足多种中低压功率转换需求，如电池管理系统、电源适配器和UPS系统。
　　此外，JTANTX2N1988采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有优异的热管理能力，能够快速散热，从而提升器件的稳定性和寿命。这种封装形式也便于自动化生产，适合大批量应用。
　　该MOSFET支持±20V的栅极电压，增强了其在不同驱动条件下的适应能力，同时具备良好的抗干扰能力。其工作温度范围广泛，可在-55°C至+175°C之间稳定工作，适用于高温和恶劣环境下的工业控制系统和汽车电子设备。
　　最后，JTANTX2N1988的高功率耗散能力（320W）使其在高负载条件下仍能保持良好的性能，降低了因过热而导致的失效风险。

JTANTX2N1988主要应用于需要高效率、高电流承载能力和稳定性能的功率电子系统。在电源管理领域，该器件常用于AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。由于其低导通电阻和高电流能力，能够有效提升转换效率，减少发热损耗。
　　在电机控制和驱动电路中，JTANTX2N1988可用于H桥驱动、电机调速和制动控制。其高耐压特性使其适用于多种中小型电机控制系统，如电动车、电动工具和自动化设备。
　　此外，该MOSFET广泛应用于电池管理系统（BMS），用于充放电控制、电池均衡和保护电路。其高稳定性和热性能确保了电池系统的安全运行。
　　在工业自动化和伺服控制系统中，JTANTX2N1988可用于开关电源、继电器替代和高精度控制电路。其快速开关特性也使其适用于高频开关电源和逆变器设计。
　　在汽车电子方面，该器件可用于车载电源系统、LED驱动、电动助力转向系统和车载充电器等应用场景。

IRF1404, SiR100N60, IPB096N06N, STP100N6F6