类型：NPN型双极晶体管
　　封装形式：TO-18
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：40V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作频率（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：50-800（根据具体分档）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

JTANTX2N1984 晶体管具有多项优异的电气特性，适用于高频和中频电路设计。其高频特性主要体现在 fT（特征频率）高达250MHz，使得该晶体管非常适合用于射频放大器和振荡器电路。此外，该器件具有良好的电流增益（hFE）范围，从50到800不等，根据不同的应用场景可选择合适的增益档次。晶体管的响应时间较快，能够支持高频信号的处理和放大。
　　在结构方面，JTANTX2N1984 采用TO-18金属封装，具备良好的热传导性能，能够有效散热，提高器件的稳定性。其最大集电极-发射极电压为40V，最大集电极电流为100mA，适用于低功率放大和开关应用。晶体管的功耗限制为300mW，确保在正常工作范围内不会因过热而损坏。
　　另外，该晶体管具备较宽的工作温度范围（-55°C至+150°C），适用于各种恶劣环境条件下的电子设备。其稳定的电气性能和较高的可靠性使其成为许多模拟电路设计的首选元件。

JTANTX2N1984 广泛应用于多种电子电路中，包括射频放大器、中频放大器、振荡器、混频器、调制解调器、音频放大器和数字开关电路。由于其高频特性，该晶体管常用于无线通信设备、射频识别（RFID）系统、测试仪器和音频设备中的信号放大。此外，它也适用于工业控制电路和消费类电子产品中的低功耗开关应用。在一些需要高增益和快速响应的电路中，JTANTX2N1984 也是一个理想的选择。

2N3904, BC547, 2N2222, PN2222