JSM60N10C是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
JSM60N10C采用TO-252封装形式,适合表面贴装工艺。其优良的热性能和电气特性使其成为工业控制、消费电子及通信设备中的理想选择。
最大漏源电压:100V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:60A
导通电阻:3mΩ
总功耗:14W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
JSM60N10C的主要特点包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高整体效率。
2. 快速开关能力,能够支持高频应用场合。
3. 高雪崩能量耐受能力,确保在异常情况下也能保持可靠运行。
4. 具备ESD保护功能,增强器件的抗静电能力。
5. 热稳定性强,能够在宽温范围内正常工作。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
JSM60N10C适用于多种电力电子领域,典型应用包括:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 负载切换和保护电路中的开关元件。
4. DC-DC转换器中的同步整流管。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的电池充电管理电路。
IRFZ44N
STP60NF06
FDP60N10