时间：2025/6/19 1:49:08
阅读：1
JSM50N10C是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够满足多种功率转换需求。
该MOSFET采用了先进的制造工艺，具备良好的热性能和电气特性，适合用于高效率、高密度的电力电子设计。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：50A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：130nC
输入电容：2240pF
总耗散功率：270W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
JSM50N10C是一款高性能的功率MOSFET，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在特定条件下可以达到2.8mΩ，从而减少传导损耗。
2. 高电流处理能力，支持高达50A的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷和输出电荷，有助于降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在高温环境下长期可靠运行。
5. 紧凑封装设计，便于集成到各类应用中。
6. 具备优异的雪崩能力和抗静电能力，提高了器件的鲁棒性。
JSM50N10C凭借这些特点，非常适合用作高频开关和高效功率转换场景中的核心元件。
JSM50N10C广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动和控制
3. 逆变器
4. DC-DC转换器
5. UPS不间断电源
6. 太阳能逆变器
7. 各类工业自动化设备
由于其低导通电阻和高电流承载能力，JSM50N10C特别适用于需要高效功率转换和快速开关的应用场合。
IRF540N
STP55NF06L
FQP50N06L
