时间：2025/7/1 3:50:57
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JSM50N03C 是一款 N 沣道通的场效应晶体管（MOSFET），采用 SOT-23 封装形式。该器件适用于低压应用，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于消费电子、通信设备及工业控制中的功率管理与信号切换场景。
JSM50N03C 的最大漏源电压为 30V，连续漏极电流可达 1.4A（在 Ta=25℃ 下）。其低导通电阻可有效降低功耗，同时提升效率，因此广泛应用于各种便携式设备和电源转换电路中。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.4A (Ta=25℃)
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω（最大值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：3nC（典型值）
总功耗：340mW（Tc=25℃）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
1. 超低导通电阻，能够减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，有助于减少开关损耗。
3. 小型化封装设计（SOT-23），节省PCB空间。
4. 高可靠性，在极端温度范围内表现稳定。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制造。
6. 支持多种应用领域下的高效能需求，包括但不限于电池管理、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。
1. 便携式电子设备的电源管理模块。
2. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流电路。
3. LED 照明驱动电路中的开关元件。
4. 各类 DC-DC 转换器及电压调节电路。
5. 消费电子产品中的负载开关功能实现。
6. 工业自动化系统中的信号切换与保护电路。
7. 通信设备中的功率控制单元。
AO3400
IRLML6402
FDC6571P
SI2302DS
