JSM40N20C是一种高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换和开关控制的领域。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。
JSM40N20C的工作电压范围较宽,能够在高达200V的漏源极电压下正常工作,同时其最大连续漏极电流可达40A(在特定结温条件下)。这些特性使其非常适合高功率密度的应用场景。
最大漏源极电压:200V
最大连续漏极电流:40A
最大栅极源极电压:±20V
导通电阻:80mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗:175W
结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
JSM40N20C具备以下显著特点:
1. 高耐压能力:可承受高达200V的漏源极电压,确保在高压环境下的可靠运行。
2. 低导通电阻:其典型导通电阻仅为80mΩ(当Vgs=10V时),有助于减少传导损耗。
3. 快速开关性能:该器件具有较低的输入电容和输出电荷量,从而实现快速开关切换,降低开关损耗。
4. 高电流承载能力:连续漏极电流高达40A,满足高功率应用需求。
5. 热稳定性强:工作结温范围为-55℃至+150℃,适应多种恶劣工作环境。
6. 小型化封装:采用标准TO-220封装,便于安装与散热设计。
JSM40N20C适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS):用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等,提供高效的功率转换。
2. 电机驱动:可用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机及其他类型电机的驱动电路。
3. 逆变器:在光伏逆变器、UPS电源等领域中实现能量转换与管理。
4. 负载开关:作为负载开关控制电源通断,适用于各种工业及消费类电子产品。
5. 过流保护:利用其低导通电阻特性设计过流保护电路,提高系统安全性。
IRFZ44N
STP40NF20
FDP040AN20S