时间：2025/6/19 19:12:35
阅读：5
JSM30N20C 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率控制的领域。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
它采用了先进的半导体制造工艺，确保了其在高频和大电流工作条件下的稳定性和可靠性。
型号：JSM30N20C
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：200 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
最大漏极电流（Id）：30 A
导通电阻（Rds(on)）：0.15 Ω（典型值，25°C）
总功耗（Ptot）：180 W
结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
JSM30N20C 的主要特性包括：
1. 高击穿电压：200V，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：典型值为 0.15Ω，在高电流应用中减少了导通损耗。
3. 快速开关性能：支持高频操作，从而实现更小尺寸的磁性元件设计。
4. 热稳定性强：能够在高温环境下正常运行，最高结温可达 175°C。
5. 符合 RoHS 标准：环保无铅设计，适合对环境要求严格的工业需求。
6. 良好的 ESD 保护能力：增强了器件的抗静电能力，提高了使用中的可靠性。
JSM30N20C 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- AC/DC 转换器
- DC/DC 转换器
2. 电机驱动：
- 工业电机控制
- 家用电器中的小型电机驱动
3. 逆变器：
- 太阳能逆变器
- UPS 不间断电源
4. 电池管理系统：
- 电动车电池保护
- 充电电路控制
5. 通用功率转换设备：
- 电子负载
- 电力调节系统
IRFZ44N
STP30NF20
FDP15N20
