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JSM2N65F 发布时间 时间:2025/7/1 21:15:00 查看 阅读:7

JSM2N65F是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、电机驱动、逆变器等高电压应用场景。该器件采用N沟道增强型技术,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,适合在高频开关条件下工作。
  该芯片通常应用于需要高效能功率转换的场合,例如消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

参数

型号:JSM2N65F
  类型:N沟道MOSFET
  封装:TO-220
  最大漏源电压:650V
  最大连续漏极电流:12A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻:1.1Ω(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:175W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

JSM2N65F的主要特性包括以下几点:
  1. 高耐压能力,额定漏源电压高达650V,能够承受较高的反向电压,适用于高压环境。
  2. 较低的导通电阻,确保在大电流应用中减少功率损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关性能,具备短的开启和关闭时间,可有效降低开关损耗。
  4. 具备优异的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
  5. 内置ESD保护电路,增强了器件的抗静电能力。
  6. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

JSM2N65F广泛用于各种高电压、大电流的应用场景,主要包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 逆变器和不间断电源(UPS)中的功率转换模块。
  3. 电机驱动电路,用于控制直流或步进电机的速度与方向。
  4. LED驱动器,实现高亮度LED照明的恒流控制。
  5. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
  6. 汽车电子系统中的启动电路和继电器替代方案。

替代型号

JSM2N65E, IRF840, STP12NM60

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