时间：2025/7/10 12:21:17
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JSM200N04C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性。其封装形式为TO-252（DPAK），适用于各种需要高效能和高可靠性的应用场合。
该MOSFET的最大漏源电压为40V，能够承受较高的电压波动，同时具备良好的电流承载能力。它非常适合用于直流-直流转换器、电池管理系统以及消费类电子产品的电源管理单元中。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：20A
导通电阻：1.6mΩ（典型值，@Vgs=10V）
栅极电荷：19nC（典型值）
总电容：1350pF（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
JSM200N04C具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 强大的电流处理能力，确保在高负载条件下的稳定运行。
4. 宽广的工作温度范围，适应多种恶劣环境。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 内置反向二极管，有助于减少开关噪声和提高抗干扰能力。
7. 小型化封装设计，节省电路板空间。
JSM200N04C适用于以下领域：
1. 开关电源（Switching Power Supplies）中的同步整流。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converters）的核心功率元件。
3. 电池保护与管理系统（Battery Protection and Management Systems）。
4. 消费类电子产品中的负载开关。
5. 工业设备中的电机驱动控制。
6. LED照明系统的驱动电路。
7. 各种需要高效功率切换的应用场景。
IRLZ44N
FDP018N04L
AO3400
