您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > JSM18N20D

JSM18N20D 发布时间 时间:2025/7/1 21:13:37 查看 阅读:14

JSM18N20D是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。其封装形式通常为TO-252或SOT-223,具体取决于制造商的设计标准。
  该型号主要特点在于其高效率、低功耗以及良好的热稳定性,适合用于需要高效能和小体积设计的电子产品中。

参数

最大漏源电压:200V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:6.7A
  导通电阻:0.45Ω
  总功耗:1.1W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

JSM18N20D采用了先进的制造工艺,具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低功率损耗。
  2. 高击穿电压,确保在高压环境下稳定运行。
  3. 快速开关速度,支持高频应用。
  4. 较高的雪崩能量承受能力,增强了器件的鲁棒性。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该MOSFET适用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源中的同步整流电路。
  2. 电池保护电路中的负载开关。
  3. 汽车电子系统中的电机驱动。
  4. LED照明驱动电路。
  5. 工业控制设备中的信号隔离与传输。
  6. 各类消费类电子产品中的功率管理模块。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF10
  FQP50N06L

JSM18N20D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价