JSM1002P是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效提升系统的效率和可靠性。
这款MOSFET为N沟道增强型器件,适用于需要高电流承载能力和快速开关响应的场景。其小型化的封装设计使得它在空间受限的应用中具有很大的优势。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:25A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:38nC
开关时间:ton=11ns, toff=24ns
工作温度范围:-55℃~175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低导通损耗。
2. 高速开关性能,适合高频应用场景。
3. 良好的热稳定性,在高温环境下依然保持稳定的电气性能。
4. 小型化封装,节省PCB空间。
5. 提供优异的雪崩耐量能力,增强系统可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. 用于DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 各类电机驱动电路中的功率开关。
4. LED驱动器中的功率控制元件。
5. 工业自动化设备中的负载开关。
6. 电池管理系统中的保护开关。
IRFZ44N
FDP5500
STP36NF06L