型号：JS29F64G08CAMDA
　　制造商：长江存储（YMTC）
　　存储类型：3D NAND Flash
　　单元结构：TLC（Triple-Level Cell）
　　单Die容量：64Gbit（8GB）
　　工艺技术：Xtacking 3.0 架构
　　堆叠层数：128层及以上
　　接口标准：ONFI 2.0/3.0 兼容（可能支持Toggle Mode）
　　工作电压：Vcc=2.7~3.6V（I/O），Vccq=1.8V 或 3.3V 可选
　　读取延迟：典型值约 50μs（页读）
　　编程时间：典型页编程时间≤500μs
　　擦除时间：典型块擦除时间≤15ms
　　耐久性（P/E周期）：约1000次
　　数据保持时间：典型条件下10年（未通电）
　　封装形式：TSOP/BGA 可能变种
　　温度范围：商业级 0°C 至 +70°C；工业级 -40°C 至 +85°C

JS29F64G08CAMDA采用长江存储独有的Xtacking技术，这项创新架构将存储单元阵列与外围电路（如地址解码、驱动和I/O缓冲）分别在两片晶圆上独立制造，随后通过垂直金属互连将两者键合在一起。这种分离式制造工艺带来了多项显著优势：首先，它允许在不影响存储密度的前提下优化逻辑电路性能，从而大幅提升I/O速度和整体带宽。其次，由于逻辑层可以使用更先进的CMOS工艺节点独立生产，因此能够有效降低芯片功耗并提高能效比。此外，Xtacking架构还增强了产品的可扩展性和良率控制，使得YMTC能够在短时间内快速迭代新技术并提升产能。
　　该芯片使用的第三代Xtacking架构进一步提升了堆叠层数至128层甚至更高，在保证高可靠性的前提下实现了更高的存储密度和更低的单位比特成本。TLC结构在容量与寿命之间取得良好平衡，适合主流消费类应用。同时，芯片支持多平面操作（Multi-plane Operation）和多LUN管理，允许并发执行多个读写擦命令，显著提高了吞吐效率。内置错误校验与纠正机制（ECC），配合主控端算法可有效应对位翻转问题，确保数据完整性。其低电压设计适应移动设备对节能的需求，并具备自动休眠和深度掉电保护功能，进一步延长终端产品电池寿命。
　　在可靠性方面，JS29F64G08CAMDA通过了严格的环境测试认证，包括高温高压存储、热循环、湿度敏感度等级评估等，确保在复杂工况下的长期稳定运行。芯片支持动态坏块管理和磨损均衡算法，延长整体使用寿命。凭借国产化供应链背景，该器件在信息安全可控、供货稳定性以及本地技术支持响应速度方面具备独特优势，特别适用于需要规避国外技术封锁的关键领域，如政务、军工、教育及国产化替代项目中的嵌入式存储模块设计。

JS29F64G08CAMDA主要应用于需要高密度、低成本且具备一定性能要求的非易失性存储场景。其典型用途包括消费类固态硬盘（SSD），尤其是SATA接口或PCIe Gen3 x2入门级NVMe SSD，用于台式机、笔记本电脑及迷你PC的系统盘或数据盘升级。在嵌入式系统中，该芯片可用于eMMC或UFS模块的底层NAND颗粒替代方案，常见于智能电视、机顶盒、车载信息娱乐系统和工业HMI设备中。
　　此外，该型号也适用于USB 3.2 Gen1或Gen2高速U盘、便携式移动固态硬盘（PSSD）以及监控级存储卡（如microSD）等产品，满足高清视频录制与回放所需的持续写入性能。在企业级边缘计算设备、网络存储器（NAS）入门机型和云终端客户端中，JS29F64G08CAMDA可作为缓存层或日志存储介质使用，提升系统响应速度。
　　由于其国产自主属性，该芯片被广泛采用在信创工程（信息技术应用创新）相关产品中，如国产CPU平台（飞腾、龙芯、兆芯、海光）配套的M.2 NVMe SSD模组，用于党政机关办公电脑、国产服务器及安全存储设备。同时，也可用于工业自动化控制系统、电力采集终端、医疗影像设备等对数据持久性和安全性有较高要求的行业应用。随着YMTC生态链的不断完善，越来越多的主控厂商（如慧荣SMI、群联Phison、点序InnoGrit等）已提供对该系列NAND的完整固件支持，进一步拓展了其适用范围。

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