型号：JS29F08G08CANB1
　　制造商：长江存储（YMTC）
　　存储类型：3D NAND Flash
　　容量：8Gb（1GB）
　　单元结构：3D TLC（Triple-Level Cell）
　　堆叠层数：128层或以上（基于Xtacking 2.0技术）
　　接口标准：ONFI 3.0兼容，8位异步/同步接口
　　工作电压：Vcc = 2.7V ~ 3.6V（典型值3.3V）
　　I/O电压：1.8V / 3.3V 可选
　　读取延迟：典型值≤25μs
　　编程时间：页编程典型时间≤1.5ms
　　擦除时间：块擦除典型时间≤15ms
　　耐久性（P/E cycles）：≥3000次
　　数据保持时间：常温下≥10年
　　封装形式：TSOP48 或 BGA 封装（具体以规格书为准）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　待机电流：≤5mA
　　读取电流：≤50mA
　　编程/擦除电流：≤25mA

JS29F08G08CANB1具备卓越的性能表现，得益于长江存储独有的Xtacking架构，其外围逻辑电路独立于存储阵列制造，使得I/O传输速率大幅提升。该芯片支持ONFI 3.0接口协议，提供高达166MB/s的突发数据传输速率，满足高速存储访问需求。在写入性能方面，其页编程时间和块擦除时间经过优化，确保在频繁写入场景下的响应效率。该器件采用TLC（Triple-Level Cell）技术，在保证成本效益的同时实现了较高的存储密度，适用于大容量固态存储设备。其内置智能算法包括动态磨损均衡（Wear Leveling）、坏块管理（Bad Block Management）和强大的ECC纠错机制（支持多位错误纠正），有效延长使用寿命并保障数据完整性。此外，该芯片支持硬件写保护功能，防止意外擦除或修改关键数据，增强系统安全性。在可靠性方面，JS29F08G08CANB1通过严格的工业级测试，具备出色的抗干扰能力、温度适应性和长期稳定性，能够在恶劣环境下稳定运行。它还支持电源故障保护（Power Loss Protection）机制，确保在突然断电情况下已完成的操作不会丢失数据。整个芯片设计符合RoHS环保标准，并通过多项国际质量认证，适用于全球化部署。
　　在制造工艺上，JS29F08G08CANB1基于长江存储第二代Xtacking技术（Xtacking 2.0），实现了更高的存储密度和更快的生产节奏。相比传统一体式制造方式，Xtacking允许存储单元和CMOS电路并行生产后再键合，不仅提高了良率，也便于后续技术迭代升级。这种分离式架构还为未来集成更多控制器功能提供了可能性，推动向存算一体化方向发展。该芯片广泛应用于企业级SSD、嵌入式存储模块、网络存储设备及高端消费类电子产品中，尤其适合需要长时间连续读写、高吞吐量和低延迟的数据中心应用场景。

JS29F08G08CANB1主要用于企业级和工业级存储解决方案，典型应用包括数据中心用固态硬盘（SSD）、服务器缓存存储、网络附加存储（NAS）设备、存储区域网络（SAN）系统以及高性能计算平台中的持久化存储单元。由于其高耐久性和长寿命特性，该芯片常被用于日志记录系统、数据库索引存储、虚拟化环境中的高速存储池等对可靠性要求极高的场合。在工业自动化领域，可用于工控机、边缘计算网关和智能制造系统的本地数据存储模块，支持宽温工作和长时间不间断运行。此外，该芯片也可集成于高端消费类电子产品如旗舰智能手机、平板电脑或便携式存储设备中，作为主存储介质以提升整体性能。在监控系统中，JS29F08G08CANB1可用于构建高写入耐久性的视频记录存储卡或嵌入式NVR设备，支持7x24小时连续录像任务。随着国产化替代进程加快，该芯片在国内信创产业链中的服务器、自主可控PC和安全存储设备中也逐步得到推广应用。其优异的读写速度和稳定性使其成为构建国产高性能存储系统的理想选择之一。

MT29F1G08ABABAWE6-IT:B
　　TH58CVG1S3HBAFX
　　S9AGMLAH100KRB