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JS28F640P33TF70A 发布时间 时间:2025/12/27 2:58:05 查看 阅读:12

JS28F640P33TF70A是一款由Intel(现属Micron Technology)生产的NOR型闪存芯片,属于其C3系列的一部分,专为高性能、高可靠性的嵌入式应用设计。该器件采用先进的MirrorBit技术,能够在单个晶体管单元中存储两位数据(即多层存储,MLC),从而在不增加芯片面积的情况下实现更高的存储密度。JS28F640P33TF70A的存储容量为64兆位(Mb),组织形式为8兆字节(MB),可按字节或字模式进行访问,适用于需要快速代码执行和数据存储的应用场景。该芯片工作电压为3.0V至3.6V,支持低功耗操作,适合电池供电或对功耗敏感的系统。封装形式为64引脚TSOP(Thin Small Outline Package),便于在空间受限的PCB上布局安装。该器件广泛应用于工业控制、网络设备、打印机、医疗设备和汽车电子等领域,因其具备良好的温度适应性与长期数据保持能力,可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行。此外,该芯片集成了多种硬件保护机制,如软件写保护、块锁定功能以及防止意外擦除的设计,确保关键代码和数据的安全性。整体而言,JS28F640P33TF70A是一款兼顾性能、可靠性与成本效益的并行接口NOR闪存解决方案。

参数

型号:JS28F640P33TF70A
  制造商:Intel / Micron
  类型:NOR Flash
  容量:64 Mbit (8 MB)
  组织结构:8M x 8 或 4M x 16
  工艺技术:MirrorBit
  接口类型:并行异步接口
  供电电压:3.0V ~ 3.6V
  读取电流:典型值 90mA
  编程/擦除电流:典型值 50mA
  待机电流:最大值 100μA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装类型:64-pin TSOP Type I
  写保护功能:支持软件块保护
  时序参数:读取访问时间典型值 70ns
  擦除方式:扇区擦除、整片擦除
  耐久性:每个扇区可承受多达100,000次擦写周期
  数据保留期:典型值超过20年

特性

JS28F640P33TF70A采用了Intel独有的MirrorBit技术,这是一种创新的双位存储单元架构,利用非对称电荷分布,在同一物理存储单元内实现两个独立的数据位存储,显著提升了存储密度而无需缩小工艺尺寸。这种技术不仅降低了单位比特的成本,还增强了芯片的整体集成度,使其在保持较小封装的同时提供足够的程序存储空间。该芯片支持快速读取操作,典型访问时间为70纳秒,能够满足实时系统中对代码“就地执行”(XIP, Execute In Place)的需求,无需将程序加载到RAM即可直接运行,从而节省系统资源并提高响应速度。
  该器件具备灵活的块结构设计,内部划分为多个可独立擦除的扇区(包括均匀或非均匀分布选项),允许用户精细控制数据更新过程,减少不必要的全片擦除操作,延长器件寿命并提升效率。它支持高效的编程算法,如缓冲编程模式,可加快数据写入速度。内置的硬件与软件保护机制有效防止因电源波动、错误指令或恶意操作导致的关键区域被误改写或擦除,例如通过设置特定寄存器锁定某些扇区为只读状态。此外,该芯片兼容JEDEC标准命令集,便于与现有控制器和驱动软件无缝对接。
  在可靠性方面,JS28F640P33TF70A经过严格测试,确保在极端工业环境下的长期稳定性。其数据保持能力超过20年,在高温高湿环境下仍能维持完整性。支持宽温工作范围(-40°C至+85°C),适用于户外设备、车载系统等严苛应用场景。同时,该芯片符合RoHS环保要求,采用无铅封装材料,适应现代绿色制造趋势。整体设计注重能效优化,具备多种低功耗模式,如深睡眠模式可将电流降至微安级别,特别适合便携式或远程部署设备。

应用

JS28F640P33TF70A广泛应用于需要高可靠性代码存储与快速启动能力的嵌入式系统中。在工业自动化领域,常用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和工业网关等设备中,作为固件存储介质,支持长时间不间断运行和现场升级功能。在网络通信设备如路由器、交换机和防火墙中,该芯片用于存放引导程序(Bootloader)、操作系统映像和配置文件,保障系统快速冷启动和安全启动验证。在消费类打印设备如激光打印机和多功能一体机中,它用于存储打印引擎控制代码、字体库及用户界面资源,支持快速唤醒和高效任务处理。
  在汽车电子系统中,该芯片可用于车身控制模块(BCM)、仪表盘显示单元或车载信息娱乐系统的辅助存储,尤其适用于需要满足AEC-Q100部分标准要求的非动力总成应用。医疗设备如监护仪、超声成像仪和便携式诊断工具也采用此类闪存来保存校准数据、操作日志和应用程序代码,确保设备在断电后仍能恢复运行状态。此外,在军事与航空航天领域的小型化电子系统中,该器件凭借其抗干扰能力和温度适应性,承担关键指令存储任务。由于其并行接口特性,适合与传统MPU/MCU平台(如ARM9、PowerPC或ColdFire系列)配合使用,尤其是在尚未全面转向串行NOR或eMMC/UFS方案的老一代或专用系统中具有重要地位。

替代型号

MT28EW64ADA-70:MICRON

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  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织4M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率40 MHz
  • 写周期时间 - 字,页70ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装56-TSOP