制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash C3
　　存储器类型：NOR Flash
　　存储容量：64 Mbit
　　组织结构：8M x 8 / 4M x 16
　　工艺技术：MirrorBit
　　封装类型：65-ball FBGA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　电源电压 - 核心：2.7V 至 3.6V
　　电源电压 - I/O：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：75ns
　　编程时间（典型）：30μs/字
　　擦除时间（典型）：0.8s/块
　　待机电流（最大）：200μA
　　读取电流（最大）：45mA
　　编程/擦除电流（典型）：40mA
　　接口类型：并行异步
　　写保护功能：硬件WP#引脚
　　可靠性：100,000 写/擦除周期
　　数据保持期：100 年（典型）
　　是否支持XIP：是
　　是否支持扇区擦除：是
　　是否支持整片擦除：是

JS28F640J3D75ES 的核心优势之一在于其采用的 MirrorBit 技术，这项专利技术通过在氮化物层中创建两个物理上分离的电荷存储区域，使得每个存储单元可以独立存储两个数据位。这种创新结构不仅将存储密度翻倍，还降低了制造成本，同时保持了 NOR Flash 的高速读取和高可靠性特点。该器件具有出色的读取性能，75ns 的访问时间使其非常适合实时系统中对响应速度要求较高的应用场景，例如工业控制、网络设备和车载电子系统。其并行异步接口支持灵活的地址和数据总线配置，兼容多种微控制器和处理器架构，便于系统集成。
　　在耐用性和数据保持方面，JS28F640J3D75ES 表现出色，支持高达 10 万次的编程/擦除周期，远超许多同类产品，确保在频繁更新固件或日志记录的应用中具备长久的使用寿命。数据保持能力可达 100 年以上（典型值），即使在恶劣环境条件下也能保障信息完整性。芯片内置智能算法，包括自动擦除验证和编程确认机制，有效提升操作可靠性，减少错误发生概率。此外，它提供多种硬件和软件保护机制，如 WP# 引脚锁定、扇区保护和密码锁定功能，防止意外写入或恶意篡改，增强系统安全性。
　　该器件支持低功耗模式，在待机状态下电流消耗极低（最大 200μA），有助于延长电池供电设备的续航时间。其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于工业自动化、户外通信设备和汽车电子等严苛环境。内置的状态机控制所有内部编程和擦除操作，减轻主控处理器负担，提升整体系统效率。JS28F640J3D75ES 还兼容 JEDEC 标准命令集，并支持在线固件升级（OTA）功能，便于远程维护和功能扩展。总之，该芯片结合高性能、高可靠性和灵活配置，是中等容量嵌入式存储应用的理想选择。

JS28F640J3D75ES 广泛应用于各类需要高性能、高可靠性和代码本地执行能力的嵌入式系统中。在工业控制领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和工业网关中，用于存储操作系统、应用程序代码以及配置参数，其快速启动和XIP能力显著提升了设备响应速度。在网络与通信设备中，如路由器、交换机和基站控制器，该芯片用于存放引导程序（Bootloader）、固件映像和运行时配置，确保设备在断电后仍能稳定重启并恢复工作状态。在汽车电子系统中，它被应用于仪表盘控制模块、车身控制模块（BCM）和车载信息娱乐系统（IVI），满足汽车级温度和可靠性要求，支持长时间稳定运行。此外，医疗设备如便携式监护仪、诊断仪器也采用此类闪存来存储关键的操作系统和校准数据，确保数据安全不丢失。消费类电子产品如高端打印机、POS终端和智能家居中枢同样受益于其快速读取和低功耗特性。由于其支持扇区级写保护和硬件写锁定功能，特别适合需要防止非法修改或病毒攻击的安全敏感型应用。同时，其并行接口与多种主流处理器（如ARM9、PowerPC、ColdFire等）良好兼容，简化了硬件设计流程，缩短产品开发周期。总体而言，JS28F640J3D75ES 是一个适用于多行业、多功能场景的通用型嵌入式闪存解决方案。

MT28EW64ADA-0S3E
　　S29GL064N90TF1300
　　IS26LV640D-75TLI