容量：64 Mbit (8 MB)
　　组织结构：4 x 16 Mbit 阵列
　　电压 - 核心：3.0V 至 3.6V
　　电压 - I/O：1.65V 至 3.6V
　　访问时间：75 ns
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP-56、FBGA-64
　　接口类型：并行异步接口
　　写入耐久性：100,000 次编程/擦除周期
　　数据保持时间：20 年
　　编程电压：内部电荷泵生成高压
　　块结构：包含多个可独立擦除的块（包括一个引导块）
　　待机电流：< 15 μA
　　读取电流：< 25 mA
　　编程/擦除电流：< 40 mA

JS28F640J3D75A采用Intel专有的MirrorBit?技术，这是一种革命性的非易失性存储单元设计，允许在一个物理存储单元中存储两个独立的比特信息，分别位于“左”和“右”两个电荷陷阱位置。这种双比特存储机制通过改变栅极电压极性来选择读取哪一个比特，从而在不缩小工艺尺寸的前提下实现存储密度翻倍。该技术不仅降低了单位存储成本，还提高了芯片的整体集成度，特别适合高密度代码存储需求。
　　该器件支持灵活的块管理架构，包含多个可独立擦除的存储块，其中一个为较小的引导块（通常用于存放关键启动代码），其余为主块。用户可以根据应用需求进行精细的分区管理，实现固件分段更新、配置参数保存等功能。同时，内置的硬件写保护功能可防止意外擦除或写入操作，增强系统安全性。
　　MirrorBit架构还具备优异的耐久性和数据保持能力，支持高达10万次的编程/擦除周期，并可在断电状态下可靠保存数据长达20年。器件内部集成电荷泵电路，无需外部高压编程电源即可完成编程与擦除操作，简化了系统电源设计。
　　在性能方面，75ns的快速读取访问时间使得处理器可以直接从Flash中执行代码（XIP, eXecute In Place），减少对外部RAM的依赖，提升系统响应速度。此外，该芯片支持低功耗模式，在待机状态下电流低于15μA，有助于延长电池供电设备的续航时间。
　　JS28F640J3D75A还具备ECC（错误校验与纠正）功能和内部状态机控制，能够在编程和擦除过程中自动检测并处理异常情况，提升操作可靠性。其工业级温度范围确保在极端环境下仍能稳定工作，适用于户外通信设备、车载电子、工业自动化等应用场景。

JS28F640J3D75A广泛应用于需要高性能、高可靠性嵌入式代码存储的各类电子系统中。在通信领域，它常被用于路由器、交换机、基站控制器等网络设备中作为Boot ROM或固件存储，支持快速启动和远程固件升级。其75ns的快速读取能力确保系统上电后能迅速加载引导程序，提升设备响应效率。
　　在工业控制系统中，该芯片用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、工业网关等设备，存储操作系统映像、控制算法和配置参数。其宽温工作范围和高耐久性确保在恶劣工业环境中长期稳定运行。
　　消费类电子产品如机顶盒、数字电视、智能家居中枢也采用此类NOR Flash存储启动代码和应用程序。由于支持XIP（就地执行）模式，CPU可直接从Flash中运行代码，节省RAM资源并降低系统成本。
　　汽车电子方面，JS28F640J3D75A可用于车身控制模块、仪表盘、车载信息娱乐系统等，存储ECU固件和标定数据。虽然该型号并非AEC-Q100认证器件，但在部分非核心系统中仍有应用。
　　此外，在医疗设备、测试仪器、POS终端等领域，该芯片也因其高可靠性和长期供货保障而受到青睐。随着物联网发展，一些边缘计算节点和无线模块也使用此类并行NOR Flash进行本地代码存储。尽管新型串行QSPI Flash逐渐普及，但对于需要高读取带宽和随机访问性能的应用，JS28F640J3D75A仍具有不可替代的优势。

S29GL064N90TFIR5
　　S29GL064N90TFI10
　　MT28EW064ABA-0-S2ITME1
　　IS26LV1027B-7T