制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash? J3
　　存储容量：32Mb（4MB）
　　架构类型：NOR Flash
　　工艺技术：MLC（Multi-Level Cell）
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：60引脚PQFP（Plastic Quad Flat Package）
　　数据总线宽度：8/16位可配置
　　访问时间：75ns
　　编程/擦除耐久性：100,000次典型值
　　数据保持时间：10年@ 85°C
　　组织结构：2 x 16Mb banks
　　块大小：64KB主块 + 8 x 8KB子块
　　供电电压（核心）：3.0V ~ 3.6V
　　输入/输出电平兼容：TTL/CMOS

JS28F320J3F75A采用Intel专有的StrataFlash MLC技术，通过在每个存储单元中存储多个比特信息，实现了比传统单级单元（SLC）更高的存储密度，同时保持了NOR Flash的关键优势——快速随机访问和可靠的数据保持能力。这种设计使得它特别适合对成本敏感但又需要一定代码存储空间的应用场景。该器件支持两种主要的操作模式：读取模式和命令模式。在读取模式下，它可以像普通SRAM一样被访问，支持快速的地址解码与低延迟数据输出，确保高效的程序执行效率。而在命令模式下，用户可以通过向特定地址写入命令代码来触发芯片内部的编程（Program）、块擦除（Block Erase）、芯片擦除（Chip Erase）或查询操作。所有这些操作均由片上状态机自动管理，极大简化了外部控制器的固件开发负担。
　　为了提升系统可靠性，JS28F320J3F75A集成了多种硬件保护机制。例如，它支持软件数据保护（Software Data Protection, SDP）功能，可以防止因异常复位、电源波动或错误指令导致的意外擦除或写入操作。此外，该芯片还提供硬件复位引脚（RESET#），当此引脚被拉低时，会强制终止当前正在进行的操作并将设备恢复到安全的读取状态，避免系统崩溃时产生不可预测的行为。另一个关键特性是其支持异步页面模式读取，可在连续访问多个字节时减少地址建立时间，从而提高整体吞吐量。
　　该器件的组织结构分为两个独立的16Mb bank，每个bank包含一个64KB的大块和八个8KB的小块，这种非对称块布局便于实现更精细的分区管理和固件更新策略。小块可用于存放频繁更改的配置参数或日志信息，而大块则更适合存放主程序代码。整个芯片支持全局擦除命令，也支持按块单独擦除，提供了极大的灵活性。此外，其75ns的访问时间保证了在高速微处理器系统中的良好兼容性，即使在最严苛的实时环境中也能稳定运行。

JS28F320J3F75A因其高可靠性、良好的执行就地能力和适中的存储容量，广泛应用于多种嵌入式系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块中，用于存储固件、配置文件和启动引导程序。在网络通信设备方面，如路由器、交换机和防火墙，该芯片被用来保存操作系统映像和安全证书，其快速启动特性有助于缩短设备加电自检时间。在消费类打印设备中，例如激光打印机和多功能一体机，JS28F320J3F75A用于存储打印机语言解释器、字体库和用户设置，支持现场升级而不影响正常服务。汽车电子系统也是其重要应用方向之一，包括车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘控制模块和车身控制模块（BCM），其中对代码执行速度和环境适应性的严格要求使其成为理想选择。此外，在医疗仪器如便携式监护仪、超声波设备和血糖仪中，该器件用于存储诊断算法、校准数据和合规性认证信息，满足医疗行业对长期数据完整性和安全性的高标准。得益于其工业级温度范围和抗干扰设计，JS28F320J3F75A还能在恶劣环境下稳定工作，进一步拓展了其应用场景边界。

MT28F320J3