时间：2025/12/27 2:58:49
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JS28F256P30T95 是一款由 Intel（现属 Micron Technology）生产的并行接口 NOR 闪存芯片，属于 Intel StrataFlash 架构系列。该器件提供 256 Mbit（即 32 MB）的存储容量，采用 90 nm 浮栅工艺制造，具备多层单元（MLC）技术，能够在单个存储单元中存储多个数据位，从而提高存储密度并降低单位成本。该芯片设计用于高性能、高可靠性要求的应用场景，例如嵌入式系统、网络设备、工业控制和通信基础设施等。其工作电压为 3.0V 至 3.6V，支持低功耗操作模式，适合对功耗敏感但需要快速代码执行和数据存储的应用环境。JS28F256P30T95 提供 TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，引脚兼容性良好，便于在已有设计中进行替换或升级。该芯片支持字节、字和突发访问模式，并具备硬件写保护功能，防止意外擦除或写入关键数据区域。此外，它集成了内部状态机以管理编程和擦除操作，减轻主机处理器负担，提升系统整体效率。通过命令用户接口（CUI），用户可发送标准指令如读取、编程、块擦除、挂起等来控制芯片行为。该器件还支持扇区保护与临时解锁功能，适用于需要固件安全保护的设计需求。
制造商：Intel (now Micron)
类型：NOR Flash
存储容量：256 Mbit
组织结构：16 M x 16 位
接口类型：并行
供电电压：3.0V ~ 3.6V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：TSOP-90
访问时间：95ns
编程电压：内部电荷泵生成
写保护功能：硬件和软件支持
擦除方式：按块（sector）擦除
编程模式：字/字节编程
待机电流：典型值 100 μA
主动电流：典型值 40 mA @ 5 MHz
可靠性：耐久性 100,000 次编程/擦除周期
数据保持时间：大于 20 年
安全性：支持锁定寄存器保护
JS28F256P30T95 采用 Intel 的 StrataFlash 技术，结合了传统 NOR Flash 的高速随机访问能力与 MLC（多级单元）技术带来的高密度优势，使其在保持快速启动和就地执行（XIP, eXecute In Place）特性的同时，实现了更高的存储容量和更低的成本每比特。该芯片内部被划分为多个可独立擦除的块（sector），包括多个小扇区和大块区域，允许灵活的数据管理和分区更新，特别适用于需要频繁固件升级同时保留部分配置信息不变的应用。其内置的状态机自动处理复杂的编程和擦除序列，用户只需通过命令接口发出高级指令，即可完成操作，显著简化了软件驱动开发难度。
该器件支持异步读取操作，最大访问时间为 95ns，适用于中高频总线系统，能够直接连接到微处理器或 DSP 的外部存储器总线上，实现无需缓存加载的直接代码运行。此外，芯片具备低功耗管理模式，包括深睡眠模式和待机模式，在非活跃状态下大幅降低功耗，延长电池寿命，适用于便携式或远程部署设备。
为了增强数据安全性，JS28F256P30T95 提供多种写保护机制：包括 Vpp 引脚控制、软件命令锁定位以及硬件复位时的默认保护状态，有效防止因电源波动或程序错误导致的关键代码损坏。同时支持临时解锁功能，允许受控条件下的更新操作。该芯片还具备较强的抗干扰能力和宽温工作范围（-40°C 至 +85°C），可在恶劣工业环境中稳定运行。所有操作均符合 JEDEC 标准接口规范，确保与其他系统的互操作性。
JS28F256P30T95 广泛应用于需要可靠非易失性存储且支持就地执行（XIP）功能的嵌入式系统中。典型应用场景包括路由器、交换机和其他网络基础设施设备中的固件存储，用于保存操作系统映像、引导程序（bootloader）和配置文件；工业控制系统中的 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备也常使用该芯片来存储控制逻辑和用户界面资源；在电信基站、无线接入点等通信设备中，该器件用于存放协议栈和射频校准数据。
此外，由于其具备良好的温度适应性和长期数据保持能力，JS28F256P30T95 也被用于医疗仪器、测试测量设备和航空航天电子系统中，作为关键数据记录和程序存储介质。消费类高端设备如数字视频录像机（DVR）、智能电视主板也曾采用此类并行 NOR Flash 实现快速开机和系统响应。随着物联网发展，一些边缘计算节点和网关设备仍会选用该类成熟稳定的 Flash 器件以保障系统鲁棒性。尽管近年来串行 Flash 因引脚少、成本低而逐渐普及，但在对性能和实时性要求较高的场合，并行 NOR Flash 如 JS28F256P30T95 依然具有不可替代的地位。
MT28EW256ABA1LPC-0SIT
JS28F256M29EWHA
TC58NW256BDCATI-01
