制造商：Intel (现归属 SK hynix)
　　系列：StrataFlash?
　　存储容量：16 Mbit (2 MB)
　　架构：NOR Flash
　　电源电压：2.7V 至 3.6V (Vcc), 2.7V 至 3.6V (Vpp)
　　工作电流：典型读取电流 30mA，待机电流小于 15μA
　　访问时间：70ns
　　接口类型：并行接口（x16 或 x8 模式可选）
　　封装类型：48-pin TSOP Type I
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程/擦除耐久性：10万次以上
　　数据保持时间：超过 10 年
　　组织结构：每扇区 64KB，共 32 个扇区
　　写保护功能：硬件 WP# 引脚支持
　　总线宽度：可配置为 8 位或 16 位模式
　　JEDEC 标准兼容：支持 CFI (Common Flash Interface) 信息查询

JS28F160C3TD-70采用了Intel专有的StrataFlash技术和多级单元（MLC）存储架构，在保证高性能的同时显著提升了存储密度。每个存储单元可以存储两个比特的信息，使得在相同硅片面积下实现更高的容量，有效降低了单位存储成本。这种设计不仅提高了集成度，还优化了整体系统的性价比。该芯片支持快速随机读取访问，典型访问时间为70纳秒，能够满足高速代码执行的需求，尤其适合eXecute In Place（XIP）应用场景，即处理器可以直接从闪存中运行程序代码，无需将代码复制到RAM中，从而减少系统启动延迟并节省主存资源。
　　该器件具备高度灵活性，支持8位和16位两种总线宽度模式，用户可通过硬件引脚配置选择所需的操作模式，适应不同主控处理器的数据总线需求。同时，它符合JEDEC标准的通用闪存接口（CFI），允许系统通过标准命令读取芯片的物理特性、电压要求、时序参数等信息，极大简化了系统设计和软件移植过程。内置的硬件写保护引脚（WP#）可在外部电路中防止意外写入或擦除操作，增强了数据安全性。
　　在可靠性方面，JS28F160C3TD-70表现出色。其支持超过10万次的编程/擦除周期，并能在断电情况下保持数据长达10年以上，适用于长期部署且不易维护的工业环境。工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，确保在极端气候条件下稳定运行。此外，该芯片具备低功耗待机模式，待机电流低于15微安，有助于延长电池供电设备的续航时间。Intel还为其提供了一套完整的命令集，包括扇区擦除、整片擦除、字编程、挂起/恢复等功能，便于实现精细化的存储管理。

JS28F160C3TD-70因其优异的读取性能、高可靠性和良好的兼容性，广泛应用于多个工业和技术领域。在嵌入式系统中，它常被用作存储启动代码（Boot Code）、操作系统映像、应用程序固件以及配置参数的非易失性存储介质。由于支持XIP（就地执行）功能，该芯片非常适合用于路由器、交换机、防火墙等网络设备，这些设备通常需要快速启动并直接运行固件代码以提升响应效率。在工业自动化控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程IO模块，JS28F160C3TD-70用于保存关键控制逻辑和校准数据，确保系统掉电后仍能恢复运行状态。
　　在通信基础设施领域，该芯片可用于基站控制器、光传输设备和无线接入点，承担固件存储和日志记录任务。其宽温特性和抗电磁干扰能力使其能在复杂电磁环境中稳定工作。汽车电子系统也是其重要应用方向之一，例如车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘控制模块和ADAS（高级驾驶辅助系统）中的传感器数据缓存与配置存储。尽管现代汽车更多采用SPI NOR Flash，但在一些老款或特定平台中仍可见此并行接口型号的身影。
　　此外，医疗设备、测试测量仪器和POS终端等对数据完整性要求较高的设备也采用此类闪存芯片。其硬件写保护机制和高耐久性擦写特性，保障了关键数据不被误修改或丢失。即使在频繁固件升级的场景下，也能维持较长的使用寿命。总体而言，JS28F160C3TD-70是一款面向中高端嵌入式市场的成熟NOR Flash解决方案，适用于需要高性能、高稳定性和长期供货保障的应用环境。

S29GL128P_12