制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash
　　存储容量：16 Mbit（2 MB）
　　架构类型：NOR Flash
　　工艺技术：MLC（Multi-Level Cell）
　　封装类型：48-pin TSOP
　　电源电压 - 核心：2.7V 至 3.6V
　　电源电压 - I/O：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取访问时间：70ns
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　总线宽度：x8/x16 可配置
　　擦除扇区大小：64 KByte
　　写保护功能：硬件写保护（WP# 引脚）
　　自动休眠模式：支持
　　封装尺寸：典型 TSOP II 封装，12mm x 20mm

JS28F160B3TD70具备多项先进特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，它采用了Intel专有的MLC技术，通过在每个存储单元中存储两位数据（即四个电平状态），显著提升了存储密度，同时降低了每比特的成本，非常适合对成本敏感但又需要较大代码存储空间的应用。该技术结合了高性能与高密度的优势，在保持NOR Flash传统随机访问能力的同时，增强了数据存储效率。
　　其次，该器件支持x8和x16两种总线宽度模式，用户可根据系统需求灵活配置，兼容多种微处理器和控制器接口。其70ns的快速读取访问时间确保了应用程序可以直接从Flash中执行代码（XIP, eXecute In Place），无需将程序复制到RAM，从而节省内存资源并加快启动速度。这对于实时系统尤为重要。
　　再者，JS28F160B3TD70集成了智能扇区架构，包含多个可独立擦除的64KB扇区，允许精细粒度的数据管理。同时支持全局块锁定和临时块锁定功能，提供软件和硬件双重写保护机制，防止意外写入或擦除操作，提升系统可靠性。芯片还内置了内部电荷泵，可在标准电源下完成编程和擦除操作，无需外部高压电源，简化了电源设计。
　　此外，该器件支持自动休眠模式，在长时间无访问时自动进入低功耗状态，有效降低待机功耗，适用于电池供电或绿色节能设备。其工业级温度范围和高抗干扰能力，确保在恶劣环境中长期稳定运行。整体设计兼顾性能、可靠性和能效，是嵌入式非易失性存储的理想选择。

JS28F160B3TD70广泛应用于多种嵌入式和工业电子系统中。在通信设备领域，常用于路由器、交换机和基站模块中存储启动代码（Bootloader）、操作系统映像和配置参数，其快速读取能力和高可靠性保障了设备的快速启动和稳定运行。在网络打印机和多功能办公设备中，该芯片用于存放固件程序和字体库，支持频繁更新且不易丢失数据。
　　在工业自动化控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块，JS28F160B3TD70被用作程序存储器，因其具备良好的耐温性和抗干扰能力，适合在工厂环境中长期服役。消费类电子如机顶盒、数字电视和智能家居网关也采用此类NOR Flash来存储引导程序和关键系统数据。
　　此外，在汽车电子领域，尽管该型号非AEC-Q100认证，但在一些车载信息终端或后装市场设备中仍有应用，用于存储导航地图数据或应用软件。医疗设备中的便携式监测仪器也可能使用该芯片进行固件存储，前提是满足相应安全规范。总体而言，任何需要可靠、快速、非易失性代码存储的嵌入式应用场景均可考虑使用JS28F160B3TD70作为解决方案。

MT28F160S3T
　　S29GL128P
　　IS28F160B3TD70