制造商：Intel
　　系列：StrataFlash Embedded Memory
　　存储容量：128 Mbit
　　存储类型：NOR Flash
　　存储配置：16 MB x8/x16
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装：64-TFBGA (8x10)
　　访问时间：75ns
　　接口类型：并行
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除电压：内部生成
　　时序模式：异步
　　组织结构：块架构，包含多个可独立擦除的扇区
　　写保护功能：硬件WP#引脚支持
　　供电电流：典型值15mA（读取），20mA（编程/擦除）
　　待机电流：典型值50μA
　　可靠性：擦写次数≥100,000次，数据保持≥10年

JS28F128P30BF75具备多项先进特性，使其在嵌入式存储领域具有显著优势。首先，该芯片采用Intel专有的MLC（Multi-Level Cell）技术，在保持NOR Flash高速随机访问能力的同时，实现了比传统单级单元（SLC）更高的存储密度，从而在相同封装尺寸下提供更大容量，有效节省PCB空间并降低系统成本。其次，该器件支持x8和x16两种总线宽度操作模式，用户可通过MODE引脚灵活配置，适应不同主控系统的数据总线需求，提升系统设计的兼容性和灵活性。
　　该芯片具备快速读取性能，访问时间低至75纳秒，能够满足实时操作系统（RTOS）和高性能嵌入式处理器对代码执行速度的要求，支持XIP（Execute In Place）功能，允许处理器直接从闪存中运行程序代码，无需将代码复制到RAM，从而减少系统启动时间和内存占用。此外，器件内部集成电荷泵电路，可在标准单电源供电（2.7V~3.6V）下完成编程和擦除操作，无需外部高压编程电源，简化了电源设计。
　　在可靠性和数据保护方面，JS28F128P30BF75内置错误检测与纠正（ECC）逻辑，能够在读取过程中自动检测并纠正多位错误，确保长期数据完整性。其扇区架构支持细粒度擦除操作，最小擦除单元为小扇区（4KB），有利于实现高效的固件更新和数据管理。硬件写保护引脚（WP#）可防止在上电、掉电或系统异常期间发生意外写入或擦除，增强系统鲁棒性。同时，该器件支持低功耗待机模式，待机电流低至50μA，适合电池供电或节能型应用。
　　该芯片还具备出色的环境适应能力，工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，符合工业级标准，可在严苛环境下稳定运行。所有引脚均符合JEDEC标准的ESD保护规范，增强了抗静电能力。此外，Intel为其提供长期供货承诺，适用于生命周期较长的工业和通信产品。

JS28F128P30BF75广泛应用于需要高可靠性、中等容量和快速代码执行能力的嵌入式系统中。在通信领域，常用于路由器、交换机、基站和光网络设备中存储引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件，其快速启动和XIP能力有助于缩短设备初始化时间。在工业控制方面，该芯片被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、工业网关和传感器模块中，用于存放控制固件和参数表，其宽温特性和高耐久性确保在恶劣工业环境中长期稳定运行。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于数字电视、机顶盒、打印机和智能家居控制器等设备，作为主程序存储器。其并行接口与多种MPU/MCU兼容，如ARM9、PowerPC、MIPS等架构处理器，便于系统集成。在网络设备中，该芯片支持远程固件升级（FOTA），其扇区擦除功能允许对部分代码进行更新而不影响其余程序，提高了维护效率和系统可用性。
　　此外，该器件也适用于医疗设备、测试仪器和汽车电子中的非安全关键模块，如信息娱乐系统和车载诊断装置。由于其具备ECC和写保护功能，能够有效防止数据损坏，适用于对数据完整性要求较高的场景。随着嵌入式系统对存储密度和成本效益的持续追求，JS28F128P30BF75凭借其性能与可靠性的平衡，成为众多中端嵌入式应用的理想选择。

MT28EW128ABA1LPC-0SIT
　　S29GL128P_01
　　S29GL128S_01
　　IS28F128P30BF75