容量：128 Mbit（16 MB）
　　组织结构：16 M x 8/8 M x 16
　　工艺技术：45 nm MLC NOR Flash
　　供电电压：Vcc = 2.7V 至 3.6V，Vpp = 可选高压编程（如有）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装形式：64-ball PBGA（9 mm x 11 mm）
　　接口类型：异步SRAM兼容接口
　　读取访问时间：85 ns（最大值）
　　编程时间：典型页编程时间为10 μs
　　扇区擦除时间：典型块擦除时间为0.8 ms
　　待机电流：≤ 15 μA（典型值）
　　主动读取电流：≤ 35 mA（典型值）
　　ECC支持：内置硬件ECC，支持多位纠错
　　写保护机制：软件命令锁定、硬件WP#引脚支持
　　总擦写次数：10万次（典型）
　　数据保持期：10年（典型，于额定条件下）

JS28F128P30B85的核心特性之一是其基于45纳米MLC NOR Flash技术的高密度存储能力，在不牺牲传统NOR Flash快速随机访问性能的前提下显著提升了单位面积的存储容量。这种架构使得该芯片在代码执行（XIP, eXecute In Place）场景下表现优异，允许处理器直接从闪存中读取并执行指令，无需先将程序加载到RAM中，从而节省系统资源并加快启动速度。其异步接口兼容标准SRAM时序，便于集成到现有嵌入式系统中，尤其适用于缺乏复杂存储控制器的老式或低成本微控制器平台。
　　该器件具备强大的可靠性和耐久性设计。内置的硬件错误校正码（ECC）引擎可实时检测和纠正多位数据错误，有效应对由于工艺缩放带来的数据保留问题和位翻转现象，确保在工业和汽车等严苛环境中长期稳定运行。同时，芯片支持细粒度的块锁定机制，用户可通过软件命令对任意扇区进行写保护，防止意外擦除或篡改关键固件。硬件写保护引脚（WP#）进一步增强了安全性，可在上电或复位期间物理锁定配置寄存器和状态寄存器。
　　节能方面，JS28F128P30B85提供多种低功耗模式，包括待机模式和深度睡眠模式，能够根据系统需求动态调整功耗水平。在待机状态下，电流消耗低至15μA，非常适合电池供电或对能效有严格要求的应用场景。此外，其快速唤醒能力确保了从低功耗状态恢复至全速操作的时间极短，不影响系统响应性能。整个芯片符合RoHS环保标准，并采用无铅封装，满足现代电子产品对环境友好性的要求。

JS28F128P30B85广泛应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、HMI人机界面、远程I/O模块和工业网关中，用于存储操作系统映像、应用程序代码、配置参数及日志数据。在网络与通信设备中，如路由器、交换机、基站控制单元和光传输模块，该芯片被用来存放引导程序（Bootloader）、固件镜像和运行时配置信息，凭借其快速启动能力和高可靠性保障设备快速上线和稳定运行。
　　在汽车电子系统中，JS28F128P30B85适用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统、车载信息娱乐系统（IVI）前端控制单元以及高级驾驶辅助系统（ADAS）中的传感器融合控制器。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）和出色的抗干扰能力使其能够在发动机舱附近或极端气候条件下可靠运行。此外，在医疗设备、测试测量仪器和智能电表等对数据完整性和长期稳定性要求较高的领域，该芯片也得到了广泛应用。
　　由于支持XIP（就地执行）模式，JS28F128P30B85特别适合那些无法配备大容量RAM或需要快速冷启动的系统。例如，在电力中断后需立即恢复工作的工业控制系统中，可以直接从该闪存中加载并执行初始化代码，减少启动延迟。其异步接口设计降低了对主控MCU的要求，使设计者可以选用成本更低、外设更丰富的通用微控制器，从而优化整体BOM成本。

MT28EW128ABA1LPC-0S3J
　　CY16B128QAI-ZSC
　　S29GL128S90TFIR4