容量：128 Mbit（兆位）
　　组织结构：16 Mbyte（字节），x8/x16 可配置
　　电压：3.3V 单电源供电
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：56-pin TSOP
　　接口类型：并行异步接口
　　访问时间：70ns/90ns 可选
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需额外高压
　　擦除次数：典型值100,000次
　　数据保持期：典型值10年
　　待机电流：< 100μA（典型值）
　　读取电流：< 25mA（典型值）
　　编程/擦除电流：< 30mA（典型值）

JS28F128M29EWLE 具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有显著优势。首先，其 StrataFlash 技术实现了多层存储（Multi-Level Cell, MLC），即每个存储单元可存储两个比特的信息，这不仅提升了存储密度，还降低了单位容量成本，相较于传统NOR Flash更具经济性。其次，该芯片支持 x8 和 x16 两种总线宽度配置，用户可根据系统需求灵活切换，提升数据吞吐效率。例如，在仅需字节操作的小型控制系统中使用 x8 模式以简化布线；而在高性能处理器直接执行代码（XIP, eXecute In Place）的应用中则启用 x16 模式以提高带宽。第三，该器件内置智能写保护机制，包括软件锁块（Lock Register）和硬件写保护引脚（WP#），有效防止因意外写入或断电干扰导致的关键数据损坏，增强了系统的可靠性。第四，JS28F128M29EWLE 支持扇区擦除、整片擦除和按字/字节编程功能，允许精细控制更新粒度，特别适合固件升级和参数存储等场景。第五，其快速访问时间（低至70ns）确保了高速处理器可以直接从闪存中读取指令，减少对外部RAM缓存的依赖，优化整体系统响应速度。第六，芯片集成了内部电荷泵电路，使得编程和擦除操作无需外部高压电源，简化了电源设计并降低系统复杂度。第七，该器件具备强大的错误管理能力，配合Intel提供的软件库可实现坏块标记、磨损均衡等高级功能，延长使用寿命。最后，其工业级温度范围和高抗干扰能力使其适用于恶劣环境下的长期运行，如工厂自动化设备、户外通信基站和车载控制系统。
　　值得注意的是，尽管该芯片已逐步进入生命周期后期（部分型号已被Micron后续产品替代），但由于其成熟稳定的性能表现，仍在许多存量设计和长期供货项目中被广泛采用。此外，厂商提供了完整的开发支持文档和技术参考手册，便于客户进行移植、调试和量产验证。这些综合特性使 JS28F128M29EWLE 成为工业与通信类嵌入式系统中值得信赖的非易失性存储解决方案之一。

JS28F128M29EWLE 广泛应用于各类需要可靠代码存储和快速启动能力的嵌入式系统中。典型应用包括网络与通信设备，如路由器、交换机、基站控制器和DSL调制解调器，其中该芯片用于存放引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置参数，确保设备上电后能迅速加载并进入工作状态。在工业控制领域，它被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、远程I/O模块和运动控制器中，承担实时控制代码的存储任务，其高耐用性和宽温特性保障了工厂环境下长时间无故障运行。在医疗电子方面，该器件可用于监护仪、便携式诊断设备和医疗成像系统的固件存储，满足对数据完整性和安全性的严格要求。车载电子系统也是其重要应用场景之一，例如车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘控制模块和ADAS（高级驾驶辅助系统）中的子控制器，利用其抗震、耐温性能实现在车辆复杂电气环境下的稳定工作。此外，该芯片还常见于测试与测量仪器、POS终端、安防监控设备以及航空航天电子模块中，作为主程序存储器或配置存储介质。由于支持XIP（就地执行）模式，CPU可直接从闪存中读取指令而无需先加载到RAM，极大节省了内存资源并加快启动过程，这一特性尤其适合资源受限的嵌入式微控制器系统。结合其多模式电源管理功能，JS28F128M29EWLE 能够在待机或休眠状态下显著降低功耗，延长电池供电设备的续航时间，因此也适用于某些低功耗工业传感器节点或远程数据采集装置。总体而言，该器件凭借其稳定性、兼容性和成熟的生态系统，在多个高可靠性要求的行业中持续发挥重要作用。

MT28EW128ABA1LPC-0SIT