容量：128 Mbit（16 MB）
　　组织结构：16 M x 8 / 8 M x 16
　　工艺技术：MirrorBit
　　接口类型：并行（x8/x16）
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C（工业级）
　　封装类型：64-pin TSOP
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　访问时间：70 ns / 90 ns（根据不同速度等级）
　　擦除时间：典型值为2秒（整片擦除）
　　编程时间：典型值为250 μs（字节/字编程）
　　耐久性：10万次编程/擦除周期
　　数据保持时间：超过10年
　　待机电流：≤ 150 μA
　　低功耗模式：支持掉电模式（Power-Down Mode）

JS28F128M29EWH的核心特性之一是采用了Intel独有的MirrorBit闪存技术，这项技术通过在氮化物层中创建两个物理上分离的电荷陷阱区域来实现每个存储单元存储两位数据的能力。这种创新结构不仅提升了存储密度，还降低了单位比特的成本，同时保持了NOR Flash传统的优势，如随机访问速度快、支持XIP（eXecute In Place）以及高可靠性。
　　该芯片支持异步读取操作，具有70ns或90ns的快速访问时间，使得CPU可以直接从Flash中执行代码而无需将其复制到RAM，这在资源受限的嵌入式系统中尤为重要。其灵活的扇区架构将128Mbit存储空间划分为多个可独立擦除的块，包括64个2KB的小扇区和127个32KB的大扇区，允许用户对配置数据或引导代码进行精细管理，避免因整片擦除导致的数据丢失风险。
　　器件内置智能写状态机（IWS），能够自动完成编程和擦除过程中的电压调节、脉冲施加和验证步骤，极大简化了软件驱动开发难度，并提高了操作成功率。通过标准的命令集接口（如读取ID、自动选择、扇区擦除、编程等），主机可以轻松实现对Flash的全面控制。此外，芯片支持硬件复位功能，在检测到异常情况时可通过拉低RESET#引脚使器件恢复到已知安全状态，增强了系统稳定性。
　　为了提升系统安全性与数据完整性，JS28F128M29EWH提供了多种保护机制，包括软件写保护、临时块锁定以及永久性OTP（One-Time Programmable）区域选项。这些功能有效防止了非法篡改或误操作造成的固件损坏。同时，低功耗特性使其适用于便携式或远程部署设备，其深度掉电模式下电流消耗极低，有助于节能降耗。整体设计兼顾性能、可靠性与易用性，满足严苛工业环境下的长期运行需求。

JS28F128M29EWH广泛应用于各类需要非易失性存储且对可靠性要求较高的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络通信设备，如路由器、交换机和防火墙，用于存储启动代码（Bootloader）、操作系统映像和配置文件，支持快速启动和现场固件升级。在工业自动化领域，该芯片常被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程IO模块中，用于保存控制程序、校准参数及运行日志，其宽温特性和抗干扰能力确保在恶劣环境下稳定工作。
　　消费类电子设备如激光打印机、多功能一体机也采用此类NOR Flash来存储固件和字体库，得益于其随机读取速度快的特点，能实现快速页面渲染和指令响应。在医疗设备中，该芯片可用于存储设备初始化程序和诊断代码，保障设备开机即用的可靠性。此外，在电信基础设施设备如基站控制器、光网络单元（ONU）中，JS28F128M29EWH作为关键代码存储介质，支持远程维护和热补丁更新功能。
　　由于其支持XIP（就地执行）模式，非常适合运行实时操作系统（RTOS）或裸机程序的应用场合，避免占用宝贵的SRAM资源。在汽车电子中，尽管当前主流已被更高密度器件取代，但在部分车身控制模块、仪表盘系统或车载信息娱乐系统的早期设计中仍可见其身影。总之，凡是对代码执行速度、系统启动时间、数据持久性和长期供货稳定性有较高要求的场景，JS28F128M29EWH均是一个成熟可靠的存储解决方案。

MT28EW128ABA1LPC-0SIT
　　IS26LV128D-70LLI