型号：JS28F128J3F75D TR
　　制造商：Intel / Micron
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：128 Mbit (16 MB)
　　组织结构：16M x 8-bit 或 8M x 16-bit
　　工艺技术：45nm C3 Flash 技术
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V（Vcc）
　　I/O电压：3.3V 兼容
　　封装类型：TSOP-56 (12mm x 20mm)
　　引脚间距：0.8mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　读取访问时间：75ns
　　编程时间（典型）：≈ 1.5μs/word
　　擦除时间（典型）：≈ 0.8s/sector
　　写使能方式：软件命令序列
　　接口标准：异步地址/数据复用总线
　　支持的操作模式：读取、编程、扇区擦除、整片擦除、低功耗待机、挂起/恢复
　　ECC支持：片内错误校正码（ECC）引擎
　　安全特性：硬件写保护、密码保护、OTP区域

JS28F128J3F75D TR 基于Intel的C3（Command, Control, and Compute）Flash架构，采用了45nm浮栅非易失性存储单元技术，显著提升了存储密度与能效比，同时降低了单位比特成本。其核心优势在于高速读取性能，75纳秒的访问时间使得处理器可以直接从闪存中执行代码（XIP, Execute In Place），无需将程序加载到RAM中，从而节省系统内存资源并加快启动速度。这种特性特别适用于路由器、交换机、工业PLC、医疗设备和车载电子控制系统等需要快速响应和高可靠性的场合。
　　该芯片采用多分区架构设计，包含多个独立可擦除的扇区（sector），允许用户进行细粒度的数据管理与固件更新操作。例如，部分扇区可用于存储引导代码并设置永久写保护，以防止意外覆盖；其他扇区则可用于动态配置数据或日志记录。此外，器件支持“挂起”功能，可在正在进行块擦除操作时临时中断并执行读取操作，随后恢复擦除过程，极大提高了系统并发处理能力。
　　在电源管理方面，JS28F128J3F75D TR 提供多种节能模式，包括自动低功耗待机和深度掉电模式，静态电流可低至数微安级别，非常适合电池供电或绿色节能型设备。其内置的状态机控制逻辑简化了外部控制器的驱动复杂度，通过标准的JEDEC命令集即可完成全部操作，兼容性强。
　　安全性方面，该器件提供多层次防护机制。除了传统的Vpp写保护引脚外，还支持软件密码锁定功能，只有输入正确密钥才能解锁特定区域。一旦触发锁定，即使断电也无法绕过，有效防止逆向工程或恶意篡改。此外，集成的ECC引擎可在每次读取时自动检测并纠正单比特错误，标记双比特以上错误，提升长期数据保持能力，尤其在高温或辐射环境中表现优异。

JS28F128J3F75D TR 广泛应用于各类对稳定性、安全性和实时性有较高要求的嵌入式系统中。在通信领域，它常被用于路由器、交换机、基站控制器等网络设备中作为Boot ROM，存储启动引导程序（Bootloader）、操作系统映像和关键配置参数，利用其快速读取能力和XIP特性实现毫秒级启动响应。在工业自动化系统中，该芯片用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块，用于存放控制逻辑、工艺配方和固件版本信息，其宽温特性和抗干扰能力保障了工厂环境下的长期可靠运行。
　　在汽车电子方面，尽管该器件不属于AEC-Q100认证等级，但在部分车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）和车载诊断设备（OBD）中仍有应用，特别是在后装市场或非安全关键系统中，用于存储音频文件索引、导航地图元数据或诊断协议库。
　　此外，该芯片也常见于医疗仪器、测试测量设备和智能电表中，承担固件存储与参数备份任务。例如，在便携式心电监护仪中，JS28F128J3F75D TR 可存储设备自检程序和用户操作界面资源，配合低功耗模式延长电池续航时间。在军工和航空航天领域，虽然需额外筛选，但其高可靠性和抗辐射特性使其可用于地面站控制单元或无人机飞控系统的非易失性存储子系统。
　　得益于其成熟的生态系统和广泛的MCU兼容性，该芯片也是许多开发板和原型设计中的首选NOR Flash解决方案，便于工程师进行固件调试与系统验证。

MT28EW128ABA-75:D
　　S29GL128S_70_0211
　　IS25LP128A-JBLE