时间：2025/10/29 10:04:13
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JS28F128J3F是英特尔（Intel）推出的一款高性能、低功耗的3V只读存储器（NOR Flash Memory），属于其第一代StrataFlash?嵌入式内存产品线。该器件采用先进的0.25微米制造工艺，具备128兆位（Mbit）的存储容量，组织形式为16兆字节（MB），可划分为128个独立可擦除的扇区（sector）。每个扇区大小为64KB，支持按扇区或整片擦除操作，并允许在字节或字级别进行编程，适用于需要频繁更新代码或数据的嵌入式系统应用。该芯片支持两种工作模式：传统非易失性SRAM替代模式和命令集驱动的高级功能模式，通过内部状态机实现复杂的写入和擦除操作，减轻主机处理器负担。JS28F128J3F广泛应用于网络设备、工业控制系统、打印机、路由器、固件存储等对可靠性和稳定性要求较高的场景。尽管英特尔已逐步将闪存业务转移至SK Hynix，但该型号仍在许多现有系统中广泛使用，并有兼容替代方案可供选择。
制造商：Intel
系列：StrataFlash?
存储容量：128 Mbit
存储架构：NOR Flash
组织方式：16 MB (16,777,216 字节)
电压范围：2.7 V 至 3.6 V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：56-TSOP, 64-BGA
访问时间：90 ns / 120 ns（根据速度等级）
接口类型：并行（x8/x16 模式可选）
扇区大小：64 KB × 128 扇区
编程电压：内部电荷泵生成
擦除方式：扇区擦除、整片擦除
写保护功能：Vpp引脚或软件控制
总线宽度：可配置为8位或16位模式
待机电流：典型值15 μA
读取电流：典型值25 mA
编程/擦除电流：典型值50 mA
JS28F128J3F具备多项关键特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，它支持x8/x16两种总线宽度模式，可通过硬件引脚配置自动检测，极大提升了与不同微控制器和处理器的兼容性。在读取操作中，其快速访问时间（低至90ns）确保了代码执行效率，支持XIP（eXecute In Place）功能，即处理器可直接从Flash中运行程序而无需加载到RAM，节省系统资源并加快启动速度。
其次，该芯片内置智能算法控制编程和擦除操作，用户只需发送命令序列即可启动内部状态机，随后操作由芯片自主完成，主机可同时处理其他任务，提高了系统整体效率。此外，每个扇区均可独立擦除和编程，支持现场固件升级（FOTA）、日志记录和参数存储等多种应用场景。芯片还提供硬件和软件写保护机制，防止意外修改关键代码区域，增强了系统的安全性与可靠性。
再者，JS28F128J3F具有出色的耐久性和数据保持能力。典型情况下支持10万次擦写周期，数据可保存长达100年，适用于长期运行且维护困难的工业环境。其低功耗设计包括多种省电模式，如待机模式和深度掉电模式，特别适合电池供电或绿色节能设备。最后，该器件通过了严格的工业级温度认证（-40°C至+85°C），能够在恶劣环境下稳定工作，满足工业自动化、通信基础设施等领域对元器件鲁棒性的高要求。
JS28F128J3F因其高可靠性、快速读取性能和灵活的编程能力，被广泛应用于多个领域。在通信设备中，常用于路由器、交换机和基站控制器中存储引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件，支持远程固件更新功能，便于网络运营商进行集中管理和维护。在工业控制系统中，该芯片用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和运动控制器，存储控制逻辑和实时参数，确保断电后信息不丢失。
消费类电子方面，打印机、多功能一体机利用其存储固件和字体库，实现快速启动和高效打印处理。汽车电子系统也曾采用此类NOR Flash用于仪表盘控制模块、车载信息娱乐系统中的静态数据存储，虽然当前更多转向更高密度解决方案，但在旧款车型中仍可见其身影。
此外，在测试测量仪器、医疗设备和航空航天电子设备中，JS28F128J3F凭借其数据完整性保障和宽温工作能力，成为关键代码存储的首选之一。由于其并行接口特性，适合需要高吞吐量数据访问的应用场景，尤其在没有外部SDRAM或DDR的情况下，作为主程序存储介质表现出优异性能。随着技术发展，虽然部分新设计转向串行SPI Flash或eMMC等方案以降低成本和引脚数，但在对读取速度和随机访问性能敏感的应用中，JS28F128J3F依然具备不可替代的优势。
MT28EW128ABA1LPC-0SIT
S29GL128P_128Mb
IS28F128J3F
