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JS28F128J3F-75A 发布时间 时间:2025/12/27 3:13:26 查看 阅读:12

JS28F128J3F-75A是一款由Intel(现为Micron Technology, Inc.旗下品牌)推出的128Mbit(16MB)NOR闪存芯片,广泛应用于嵌入式系统中需要可靠非易失性存储的场合。该器件属于Intel StrataFlash Embedded Memory技术系列,支持多层单元(MLC)技术,能够在单个存储单元中存储多个比特信息,从而提高存储密度并降低成本。该芯片采用56引脚TSOP封装或48球BGA封装,工作电压为3V,兼容低功耗应用设计。JS28F128J3F-75A支持x8/x16两种数据接口模式,允许在性能与引脚数量之间进行权衡,适用于工业控制、网络设备、打印机、机顶盒以及汽车电子等多种应用场景。该器件具备较高的擦写耐久性与数据保持能力,并内置先进的电源管理功能,确保在复杂电磁环境和宽温范围内稳定运行。此外,其内建的ECC(错误校正码)机制可有效提升数据可靠性,防止因位翻转导致的数据损坏。由于其高性能、高可靠性及良好的兼容性,JS28F128J3F-75A曾是许多高端嵌入式系统的首选NOR Flash解决方案之一。

参数

容量:128Mbit(16MB)
  组织结构:8M x16 或 16M x8
  工艺技术:StrataFlash MLC
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  访问时间:75ns
  封装形式:56-pin TSOP Type I 或 48-ball BGA
  接口类型:x8/x16 可配置
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  编程/擦除耐久性:典型值10万次
  数据保持时间:典型值10年
  待机电流:≤15μA(CMOS待机模式)
  读取电流:≤30mA(最大)
  写入/擦除电流:≤70mA(典型)

特性

JS28F128J3F-75A采用Intel专有的StrataFlash Embedded Memory技术,结合了NOR闪存的快速随机访问能力和MLC技术的高密度优势,使其在性能与成本之间达到良好平衡。该芯片支持页模式突发读取操作,能够显著提升连续数据读取速度,适用于需要频繁执行代码的嵌入式系统。其内部集成了智能扇区架构,共分为128个扇区,每个扇区大小为64KB,允许对单个扇区进行独立擦除和编程,极大提升了系统软件更新的灵活性与效率。此外,该器件支持硬件复位功能,在上电或异常情况下可通过nRESET引脚强制芯片进入已知安全状态,保障系统启动可靠性。芯片还具备多种低功耗模式,包括自动休眠模式和深度休眠模式,可根据系统需求动态调节功耗,延长电池供电设备的工作时间。
  为了增强数据完整性,JS28F128J3F-75A内置了ECC引擎,能够在编程和读取过程中实时检测并纠正单比特错误,同时标记多比特错误以供系统处理,从而大幅提升长期数据存储的可靠性。该器件支持Vpp独立编程电压输入,增强了编程过程中的稳定性,并兼容JEDEC标准的命令集,便于与现有系统集成。其制造工艺经过严格测试,符合工业级温度要求,可在恶劣环境下稳定运行。此外,该芯片支持软件数据保护机制,防止因误操作或电源波动引起的意外擦除或写入,进一步提升系统安全性。这些综合特性使得JS28F128J3F-75A成为对稳定性、可靠性和性能均有较高要求的应用场景中的理想选择。

应用

JS28F128J3F-75A广泛应用于各类嵌入式系统中,尤其是在需要直接从闪存执行代码(XIP, eXecute In Place)的场合表现出色。常见应用领域包括工业自动化控制系统,如PLC控制器、人机界面(HMI)设备等,用于存储固件、配置参数和实时操作系统。在网络通信设备中,如路由器、交换机和防火墙,该芯片常被用来存放启动引导程序(Bootloader)、操作系统镜像及网络协议栈代码,凭借其快速随机读取能力确保设备快速启动和高效运行。消费类电子产品如数字机顶盒、打印机、多功能一体机也大量采用此型号,以实现稳定的本地存储功能。在汽车电子领域,该芯片可用于车载信息娱乐系统、仪表盘控制模块和远程通信单元,满足车规级环境下的可靠性和耐久性要求。此外,在医疗设备、测试仪器和军事通信系统中,因其高可靠性和长期供货保障,也被作为关键的非易失性存储组件使用。随着物联网和边缘计算的发展,尽管新型串行NOR Flash逐渐普及,但JS28F128J3F-75A仍因其大容量、并行接口高吞吐率优势,在部分高性能嵌入式平台中持续发挥作用。

替代型号

MT28EW128ABA-75:A

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