时间：2025/12/27 3:34:45
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JS28F128J3D75B是英特尔（Intel）推出的一款高性能、低功耗的128Mbit（16MB）NOR闪存芯片，属于其StrataFlash Embedded Memory家族中的第三代产品。该器件采用先进的48nm制造工艺，支持多层单元（MLC）技术，能够在单个存储单元中存储多个比特信息，从而显著提高存储密度并降低单位成本。JS28F128J3D75B专为嵌入式应用设计，广泛应用于工业控制、网络设备、通信基础设施和汽车电子等领域。该芯片支持x8/x16两种数据总线模式，具备异步读写能力，并兼容通用的SRAM接口，便于系统集成。此外，它还集成了内部状态机，可自动执行编程和擦除操作，减轻主机处理器负担。器件采用标准的64引脚FBGA封装，工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级环境要求。Intel通过提供丰富的固件支持和开发工具，进一步增强了该芯片在复杂嵌入式系统中的可用性和可靠性。
容量：128 Mbit（16 MB）
组织结构：16,777,216 x 8 / 8,388,608 x 16
工艺技术：48 nm
供电电压：核心/IO电压 3.0V ± 0.3V
工作电流：典型读取电流 30 mA，待机电流 < 15 μA
访问时间：75 ns
封装类型：64-pin FBGA（8mm x 10mm）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：异步SRAM兼容，支持x8/x16模式
编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压
擦除方式：扇区擦除、整片擦除
JS28F128J3D75B具备多项先进特性，使其在嵌入式NOR Flash市场中具有显著优势。首先，该芯片采用Intel的MLC（Multi-Level Cell）技术，在保持传统NOR Flash高可靠性和快速随机访问能力的同时，提升了存储密度，降低了每兆位的成本，适合对成本敏感但又需要较大代码存储空间的应用场景。其次，其内置的智能命令集允许主机通过简单的写操作触发复杂的内部操作，如自动编程、背景擦除和错误校验等，极大地简化了软件开发流程。该器件支持硬件复位功能，可在上电或异常情况下快速恢复到已知状态，提升系统稳定性。
另一个关键特性是其强大的耐久性和数据保持能力。每个扇区可支持高达100,000次的编程/擦除周期，数据保存时间超过20年，适用于长期运行且频繁更新固件的设备。为了提高系统安全性，JS28F128J3D75B还提供了安全寄存器（Secure Register）功能，可用于存储加密密钥、设备序列号或其他敏感信息，防止未经授权的读取或复制。此外，芯片支持动态VPP管理，内部集成电荷泵电路，无需外部高压电源即可完成编程和擦除操作，简化了电源设计。
在性能方面，75ns的快速访问时间确保了高效的指令执行速度，特别适合XIP（eXecute In Place）应用，即直接从Flash中运行代码而无需加载到RAM，节省系统资源。同时，该器件具备多种省电模式，包括待机模式和深度睡眠模式，能够根据系统需求动态调整功耗，延长电池寿命。最后，JS28F128J3D75B符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q100等可靠性认证，适用于严苛的工业和车载环境。
JS28F128J3D75B广泛应用于需要高可靠性、快速启动和代码执行能力的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络路由器、交换机和防火墙等通信设备，用于存储引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件；工业自动化控制系统，如PLC、HMI和远程I/O模块，依赖其稳定的非易失性存储来保存控制逻辑和参数设置；汽车电子领域，如车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）控制单元，利用其宽温特性和高耐久性进行固件存储；医疗设备中用于保存校准数据和操作程序；以及测试测量仪器、POS终端和智能家居网关等消费类与工业混合型设备。由于支持XIP模式，该芯片特别适合实时操作系统（RTOS）直接从中执行代码，减少对RAM的依赖，优化整体系统架构。此外，在需要现场升级（FOTA/SOTA）功能的产品中，其大容量和高擦写寿命也展现出明显优势。
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"MT28EW128ABA1LPC-0SIT",
"M29W128GL70ZMB6",
"S29GL128S_01"
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