型号：JS28F00AP33BF
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：128 Mbit (8M x16)
　　接口类型：并行（x16）
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V（典型值3.3V）
　　读取访问时间：70ns / 90ns 可选
　　封装形式：48-pin TSOP-I (12mm x 20mm)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压
　　擦除方式：按扇区（Sector）或整片（Bulk）擦除
　　写保护功能：支持硬件WP#引脚和软件写保护
　　总线宽度：16位
　　待机电流：典型值10μA，最大值100μA
　　读取电流：典型值25mA
　　编程/擦除电流：典型值50mA

JS28F00AP33BF具备卓越的性能与可靠性，其核心特性之一是采用Intel的C3工艺技术制造的StrataFlash架构，能够在单个存储单元中存储多位信息，从而提升存储密度并在一定程度上降低成本。该芯片支持快速随机读取访问，最短可达70纳秒，使得处理器可以直接从闪存中执行代码，显著缩短系统启动时间并减少对RAM的需求，特别适用于实时操作系统和固件存储场景。
　　该器件内置智能命令集和状态机逻辑，用户可通过标准的写入命令序列来执行编程、擦除、查询操作状态等功能。例如，在进行扇区擦除前可先查询状态寄存器以判断是否处于忙状态，避免冲突操作。此外，它支持按扇区（每扇区大小通常为64KB或更小）进行独立擦除，允许精细化管理存储区域，延长整体寿命并提高使用效率。
　　为了增强数据安全性，JS28F00AP33BF提供了多重写保护机制，包括通过WP#引脚实现的硬件写保护和基于软件命令的块锁定功能，防止意外修改关键固件或配置数据。同时，其具备良好的环境适应能力，可在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）稳定工作，满足严苛工业环境下的应用需求。
　　该芯片还集成了内部电荷泵电路，用于生成编程和擦除所需的高压，无需外部提供额外的高电压电源，简化了电源设计并降低了系统复杂度。另外，低功耗设计使其在待机模式下电流消耗极低（典型值10μA），非常适合电池供电或节能型设备。
　　尽管该型号已逐步进入停产阶段，但在许多遗留系统和工业设备中仍有广泛应用。设计人员在选用时应注意生命周期状态，并考虑后续升级路径或替代方案。

JS28F00AP33BF广泛应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络路由器、交换机等通信设备中的固件存储，用于保存启动代码（Bootloader）、操作系统镜像及配置参数；在工业自动化控制系统中，作为PLC、HMI设备的程序存储介质，确保断电后仍能保留关键逻辑程序。
　　此外，该芯片也常见于医疗设备、测试仪器和航空电子系统中，因其具备高可靠性和长时间数据保持能力（通常可达10年以上），能够满足这些领域对数据完整性和系统稳定性的严格要求。在消费类高端设备如打印机、POS终端中，JS28F00AP33BF可用于存放主控程序和字体库等静态数据。
　　由于其支持XIP（就地执行）特性，特别适合那些希望节省RAM资源或将程序直接运行于闪存上的嵌入式处理器架构，如ARM9、PowerPC、MIPS等平台。配合实时操作系统（RTOS）使用时，可实现快速启动和高效运行。
　　在汽车电子领域，虽然该型号并非AEC-Q100认证产品，但在某些非车规但类似环境的应用中（如车载信息终端、后装导航设备）也有部署。总体而言，凡是需要中等容量、高速读取、高可靠性的并行NOR Flash解决方案的场合，JS28F00AP33BF都是一个成熟且经过验证的选择。

MT28EW01GABA1LWS-0SIT
　　IS26LV128C-90LLI