型号：JS28F00AM29EWHB
　　制造商：Intel / Micron
　　存储类型：OneNAND Flash
　　存储容量：1 Gb (128 MB)
　　组织结构：768 Mb + 256 Mb Metadata
　　工艺技术：56nm
　　封装类型：48-ball FBGA (6x8mm)
　　引脚间距：0.65mm
　　接口类型：并行接口（x16 数据总线）
　　供电电压：Vcc = 2.7V ~ 3.6V, VccQ = 2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程时间：典型值 300μs/页
　　擦除时间：典型值 2ms/块
　　读取访问时间：最大 25ns
　　支持功能：ECC、Boot Block、Hardware Reset、Multiple Chip Enable

JS28F00AM29EWHB 具备卓越的性能与可靠性，是面向嵌入式系统的理想存储解决方案之一。其核心特性之一是采用了 OneNAND 架构，将主数据区与额外的元数据区（Metadata Area）集成在同一芯片内，使得每一页不仅能存储用户数据，还能附加用于地址映射、坏块管理或 ECC 校验的信息，从而提升整体系统效率和数据管理能力。该架构显著简化了外部控制器的设计复杂度，降低了对主处理器资源的依赖，尤其适合没有外置 NAND 控制器的低成本平台。
　　该芯片支持高效的硬件复位功能（Hardware Reset），可在上电或异常情况下快速初始化内部状态机，确保系统可靠启动。同时，它提供多个芯片使能信号（Multiple Chip Enable），允许多个 OneNAND 器件并联使用，便于扩展存储容量而不增加接口复杂性。这一特性在需要大容量本地存储但受限于 PCB 面积的应用中尤为关键。
　　JS28F00AM29EWHB 内建强大的错误校正机制，可实时检测和纠正多位错误，结合其固有的坏块管理和冗余单元设计，大幅提高了长期使用的数据完整性。此外，该器件支持分块擦除和按页编程操作，具有良好的耐久性（典型擦写次数达 100,000 次）和数据保持能力（可达 10 年以上）。
　　为了优化功耗表现，该芯片实现了多级电源管理策略，包括主动模式、待机模式和深度掉电模式。在深度掉电模式下，电流消耗可降至几微安级别，非常适合电池供电设备。其快速读取响应时间（≤25ns）支持高速指令执行，满足实时操作系统对启动速度的要求。
　　最后，JS28F00AM29EWHB 支持引导块（Boot Block）功能，允许将启动代码存储在受保护的专用区域，防止意外改写，并可通过硬件配置选择从 OneNAND 启动，增强了系统的灵活性与安全性。这些综合特性使其成为工业级和高端消费类电子产品的优选存储器件。

JS28F00AM29EWHB 被广泛应用于各类需要高可靠性、快速启动和紧凑封装的嵌入式系统中。典型应用包括智能手机和平板电脑中的固件存储，特别是在早期 Android 设备中作为主引导和操作系统存储介质；网络通信设备如路由器、交换机和基站模块，利用其快速 XIP 能力实现系统快速上线；工业控制与自动化设备，例如 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程 I/O 模块，依赖其宽温工作能力和长期稳定性保障连续运行；车载信息娱乐系统（IVI）和仪表盘控制系统也采用此类器件进行导航地图、音频文件和车载软件的本地存储。
　　此外，在医疗电子设备中，如便携式监护仪、超声成像终端等，JS28F00AM29EWHB 凭借其低功耗特性和数据可靠性，成为关键数据记录与程序执行的理想选择。测试与测量仪器、POS 终端、智能电表等智能终端设备同样受益于其高集成度和小封装优势，在有限空间内实现大容量非易失性存储。
　　由于其支持硬件引导和 ECC 自纠错功能，该芯片还常用于军事和航空航天领域的加固型计算模块中，确保极端环境下的系统可用性和抗干扰能力。总体而言，任何需要在小型化设计前提下实现高效代码执行、快速响应和持久数据保存的应用场景，都是 JS28F00AM29EWHB 的适用领域。

MT29F01G01AAABAWP