制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash Embedded Memory
　　存储器类型：NOR Flash
　　存储容量：1 Gb（128 MB）
　　组织结构：64 M x16 / 128 M x8
　　接口类型：异步SRAM兼容接口
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：TSOP-80
　　编程/擦除耐久性：100,000 次典型值
　　数据保持时间：超过10年
　　访问时间（读取）：70 ns 典型值
　　工艺技术：C3 Process Technology
　　是否支持XIP：是
　　是否支持字节写入：是
　　是否支持块擦除：是

JS28F00AM29EWH 的核心特性之一是其基于C3工艺的StrataFlash技术，这项技术结合了NOR闪存的高速随机读取优势与更高的存储密度，使得该芯片在保持传统NOR性能优势的同时实现了更大的容量扩展。其双组织结构（x8/x16）允许系统设计者根据总线宽度需求灵活配置，增强了在不同平台上的兼容性。
　　该芯片支持异步接口协议，与标准SRAM时序兼容，极大简化了处理器或控制器的接口设计，无需复杂的DMA或专用控制器即可实现高效数据交换。这种即插即用的接口特性使其非常适合用于MCU、MPU和DSP系统中作为程序存储器。
　　在可靠性方面，JS28F00AM29EWH 内置了先进的内部管理逻辑，支持自动擦除、编程确认和状态轮询机制，确保每次写入或擦除操作都能被准确完成。同时，器件提供多个硬件和软件级别的写保护区域，包括顶部/底部扇区保护、临时锁定和永久熔丝锁定功能，可有效防止因意外断电或软件故障引起的关键代码损坏。
　　为了提升系统安全性，芯片还集成了用户可编程的安全密码锁功能，一旦启用，未经授权无法读取或修改存储内容，满足工业和车载应用中的信息安全合规要求。此外，其低功耗设计支持多种节能模式，在待机状态下电流可低至数微安级别，显著延长便携式设备的续航时间。
　　值得一提的是，JS28F00AM29EWH 经过严格的工业级认证，能够在极端温度环境下稳定运行，并通过了多项EMI/EMC测试，具备良好的抗干扰能力，适合部署在工厂自动化、轨道交通、远程终端单元（RTU）等复杂电磁环境中。

JS28F00AM29EWH 广泛应用于需要高可靠性代码存储和快速启动能力的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、HMI人机界面、伺服驱动器和工业网关中，用于存放固件、配置参数和实时操作系统镜像。由于其支持XIP模式，CPU可以直接从闪存中执行指令，避免了将程序加载到RAM的过程，大幅缩短了系统启动时间，提高了响应效率。
　　在通信基础设施中，该芯片被广泛部署于路由器、交换机、基站控制模块和光网络单元（ONU）中，承担Bootloader、操作系统映像和诊断程序的存储任务。其快速读取特性和稳定的写入性能保障了设备在频繁重启和远程升级过程中的数据完整性与操作成功率。
　　汽车电子方面，JS28F00AM29EWH 可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统、ADAS辅助驾驶系统的预处理单元以及车载信息娱乐系统（IVI）中，满足AEC-Q100相关可靠性标准的部分要求（需具体确认版本），确保车辆在各种工况下的稳定运行。
　　此外，在医疗设备、测试测量仪器和军事电子系统中，该芯片也因其长期供货承诺、出色的耐用性和数据保持能力而受到青睐。例如，在便携式监护仪或现场分析设备中，JS28F00AM29EWH 能够可靠地保存校准数据、操作日志和系统固件，即使在断电情况下也不会丢失关键信息。
　　随着物联网边缘节点对本地存储需求的增长，该器件也被用于智能电表、远程监控终端和无线传感器网络节点中，作为主控MCU的外部程序存储器，支撑设备长时间无人值守运行。

MT28EW01GABA1LPC-0SIT
　　S29GL01GS11TFI40
　　IS25LP128C-JBLE