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JR28F064M29EWTB TR 发布时间 时间:2025/10/22 10:21:21 查看 阅读:6

JR28F064M29EWTB TR 是一款由Intel(现归属于Micron Technology)生产的并行NOR闪存芯片,广泛应用于需要高可靠性和快速启动特性的嵌入式系统中。该器件属于Intel的StrataFlash系列,采用先进的多级单元(MLC)技术,能够在单个存储单元中存储多个比特的数据,从而提高存储密度并降低成本。这款芯片特别适用于工业控制、网络设备、通信基础设施以及汽车电子等对数据持久性和稳定性要求较高的领域。其封装形式为TSOP-56(Thin Small Outline Package),便于在空间受限的应用环境中进行表面贴装。作为一款高性能的非易失性存储器,JR28F064M29EWTB TR 支持多种电压操作模式,并具备良好的耐久性和数据保持能力,能够在极端温度条件下稳定运行,适合工业级应用环境。此外,该器件还集成了错误校正码(ECC)功能和坏块管理机制,进一步提升了系统的可靠性与寿命。随着嵌入式系统对代码执行速度和数据存储效率的需求不断提升,这类高性能NOR Flash器件在Bootloader存储、固件存储和实时操作系统(RTOS)加载等方面发挥着关键作用。

参数

制造商:Intel (now Micron)
  系列:StrataFlash
  存储类型:NOR Flash
  存储容量:64 Mbit (8 MB)
  组织结构:4M x16位
  接口类型:并行接口(x16)
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  读取访问时间:70 ns / 90 ns(根据型号后缀)
  编程/擦除电压:内部电荷泵提供
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP-56 (14mm x 20mm)
  工艺技术:MLC(Multi-Level Cell)
  写保护功能:硬件WP#引脚支持
  擦除方式:扇区擦除、块擦除、整片擦除
  总线宽度:16位
  待机电流:< 100 μA
  读取电流:< 20 mA
  编程电流:< 30 mA
  可靠性:典型数据保持时间 > 20年
  耐久性:100,000次编程/擦除周期

特性

JR28F064M29EWTB TR 具备卓越的性能与可靠性,专为严苛的工业和通信应用场景设计。其核心特性之一是采用多级单元(MLC)技术,在保证成本效益的同时实现了较高的存储密度。该器件支持x16位并行接口,能够提供快速的数据吞吐能力,适用于需要直接从闪存执行代码(XIP, eXecute In Place)的应用场景。芯片内置高效的命令集架构,支持标准的JEDEC指令协议,包括软件复位、自动选择、查询状态寄存器等功能,便于系统开发者进行初始化、读写控制及故障诊断。
  该器件具备灵活的擦除机制,支持按扇区(Sector)、按块(Block)或整片(Chip)擦除,允许精细管理存储空间并延长使用寿命。每个扇区可独立编程与擦除,配合内置的状态轮询机制,主机处理器可以准确判断操作完成状态,避免误操作导致的数据损坏。此外,器件集成有硬件写保护引脚(WP#),可在上电或低电压期间防止意外写入或擦除,提升系统安全性。
  为了增强数据完整性,JR28F064M29EWTB TR 内部集成了ECC(Error Correction Code)功能,能够检测并纠正多位错误,显著提高在恶劣电磁环境下的数据可靠性。同时,它具备优良的温度适应性,可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作,满足工业级和汽车级应用需求。器件还支持低功耗模式,通过进入深睡眠或待机状态来降低系统整体能耗,非常适合电池供电或绿色节能型设备使用。
  封装方面,TSOP-56提供了良好的热性能和机械稳定性,易于自动化贴片生产,并兼容主流PCB布局设计。整个系列产品经过严格的质量认证,符合RoHS环保标准,部分版本也通过了AEC-Q100车规认证,可用于车载信息娱乐系统或驾驶辅助模块中。总体而言,JR28F064M29EWTB TR 在性能、可靠性与兼容性之间实现了良好平衡,是高端嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。

应用

JR28F064M29EWTB TR 广泛应用于各类对稳定性与响应速度有高要求的嵌入式系统中。典型应用包括工业自动化控制器中的固件存储,用于保存PLC程序、配置参数和启动代码;在网络通信设备如路由器、交换机和基站中,作为Boot ROM存放引导程序,确保系统快速可靠启动;在汽车电子领域,被用于车载导航系统、仪表盘控制模块和ADAS(高级驾驶辅助系统)中,存储操作系统映像和关键应用代码。
  此外,该芯片也常见于医疗设备、测试测量仪器和航空电子系统中,这些领域对数据完整性和长期稳定性极为敏感。由于支持XIP(就地执行)功能,处理器可以直接从该NOR Flash中读取并执行指令,无需将代码复制到RAM,从而节省内存资源并加快启动速度。这一特性使其成为实时操作系统(RTOS)和嵌入式Linux系统的理想选择。
  在消费类高端产品中,如数字电视、机顶盒和智能家居中枢设备,JR28F064M29EWTB TR 可用于存储固件更新包和用户设置信息,保障设备在断电后仍能保留关键数据。其高耐久性和长数据保持能力也使其适用于需要频繁更新配置或日志记录的边缘计算节点。总之,凡是对启动速度、代码执行效率和环境适应性有较高要求的场景,该器件都能提供稳定可靠的存储支持。

替代型号

MT28EW064ABA-70:E

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JR28F064M29EWTB TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8,4M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页70ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装48-TSOP I