类型：功率MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.45Ω（最大0.55Ω）
　　栅极电荷（Qg）：典型值为60nC
　　封装形式：双列直插式（Dual Inline）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　安装方式：通孔安装（Through Hole）
　　最大功耗：150W
　　短路耐受能力：有
　　反向恢复时间（trr）：快速恢复型
　　隔离电压：2500Vrms（模块内部与外部之间）

JN2FW15SL1 具备多项高性能特性。首先，其高耐压能力（600V）使其适用于多种高压电源转换系统，如DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路和电机控制电路。其次，该模块的低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，模块内置的多个MOSFET采用优化布局设计，有效减少了寄生电感和开关损耗，提升了高频开关性能。
　　该器件还具备良好的热管理能力，采用高导热材料和优化的封装结构，使得模块在高负载条件下仍能保持稳定的温度性能，延长使用寿命。同时，JN2FW15SL1具有较强的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击，提高了系统的可靠性和安全性。
　　此外，模块的隔离电压高达2500Vrms，确保了在高电压环境下操作的安全性，并满足工业级安全标准。其双列直插式封装形式便于安装和散热，适用于多种工业控制和电源管理系统。

JN2FW15SL1 主要应用于高功率电源系统，如工业电源、UPS（不间断电源）、变频器、伺服电机驱动器、光伏逆变器以及电动汽车充电系统等。其高效能、高可靠性和紧凑设计使其成为工业自动化设备、智能电网系统和高效率电源转换器的理想选择。此外，该模块也可用于家电电机控制、电梯驱动系统和焊接设备等高功率应用场景。

IXFH15N60P、IRF6665、STF15N60DM2、SiHP063N60E、FDMS86180