JMS-11X+ 时间：2025/12/28 12:02:20 阅读：15

JMS-11X+ 是一款由 Jemi Semiconductor 推出的高性能、低功耗同步整流控制器芯片，专为反激式（Flyback）电源拓扑中的同步整流应用而设计。该器件通过检测功率MOSFET的漏源极电压（VDS）来智能控制外部N沟道MOSFET的导通与关断，从而替代传统肖特基二极管，显著提高电源转换效率，降低系统热损耗。JMS-11X+ 适用于多种高能效电源适配器、充电器和开放式电源系统，尤其是在追求小型化、高功率密度和绿色节能标准的应用中表现出色。该芯片采用先进的电压检测技术，具备出色的抗噪声能力和快速响应特性，能够在宽负载范围内实现稳定可靠的同步整流控制。此外，JMS-11X+ 集成了多重保护机制，包括过温保护、VDD欠压锁定（UVLO）以及前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）等功能，确保在复杂电磁环境下的鲁棒性。其封装形式通常为SOT-23或DFN小型化封装，便于在紧凑型PCB布局中使用，同时兼顾散热性能。由于其高度集成化的设计理念，JMS-11X+ 能有效减少外围元件数量，简化电源系统的整体设计流程，并提升产品的可靠性与一致性。

参数

工作电压范围：4.5V ~ 28V
　　关断电流：＜100μA
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　结温范围：-40°C ~ +150°C
　　输出驱动电压：约12V（内部稳压）
　　驱动能力：最大栅极驱动电流±500mA
　　前沿消隐时间：约200ns
　　启动延迟时间：约600ns
　　封装类型：SOT-23-6 或 DFN-6L
　　同步整流检测阈值（开通）：典型70mV
　　同步整流关断阈值：典型-150mV

特性

JMS-11X+ 的核心特性之一是其基于漏源电压（VDS）检测的高精度同步整流控制机制。该芯片通过实时监测外接N-MOSFET的VDS电压，在反激变换器次级侧能量释放阶段精确判断MOSFET的导通时机，避免体二极管导通带来的额外损耗，从而大幅提升转换效率，尤其在轻载和满载条件下均能维持优异的能效表现。
　　另一个关键特性是内置的前沿消隐功能（LEB），可有效抑制开关瞬态过程中因寄生电感和电容引起的电压尖峰干扰，防止误触发导致的MOSFET误导通。这一机制极大地增强了芯片在高频开关环境下的抗噪能力，提升了系统的稳定性与安全性。此外，JMS-11X+ 具备自动识别连续导通模式（CCM）、断续导通模式（DCM）和准谐振（QR）运行状态的能力，无需外部配置即可自适应不同工作模式，确保在整个负载范围内实现最优整流时序控制。
　　该芯片还集成了完善的保护功能。例如，当芯片温度过高时，内部热保护电路会自动关闭输出驱动以防止损坏；VDD引脚具有欠压锁定（UVLO）功能，确保只有在供电电压达到安全水平后才允许芯片正常工作，避免异常启动风险。其驱动输出端具备12V稳压结构，可稳定驱动各类标准阈值和逻辑电平MOSFET，兼容性强。得益于高度集成的设计，JMS-11X+ 显著减少了外部元器件需求，不仅降低了BOM成本，也缩短了产品开发周期，适用于追求高性价比与快速上市的消费类电子产品电源设计。

应用

JMS-11X+ 广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，特别是在需要高效能、小体积和低成本解决方案的场景下具有显著优势。典型应用包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备的AC-DC充电器，输出功率范围通常在15W至65W之间，配合主控PWM/PSR控制器实现全数字化高效电源架构。
　　此外，该芯片也被广泛用于智能家居设备电源模块，如智能音箱、路由器、IP摄像头等物联网终端设备的内置电源适配器中，帮助满足日益严格的能源之星（Energy Star）、CoC Tier 2 和 DOE VI 等国际能效标准。在LED照明驱动电源领域，尤其是高亮度LED灯具所用的恒压输出电源中，JMS-11X+ 同样能够发挥其高效率同步整流的优势，减少发热并延长灯具使用寿命。
　　工业类应用方面，诸如小型工控设备、传感器供电模块、POS机电源等对可靠性和长期稳定性要求较高的场合，JMS-11X+ 凭借其宽温工作范围和强抗干扰能力，成为理想的同步整流控制方案。同时，由于支持多种反激拓扑模式（CCM/DCM/QR），它也可用于宽输入电压范围的通用输入电源设计（90VAC~264VAC），适用于全球市场销售的产品。其小型化封装也有利于实现无风扇密闭式电源设计，进一步提升系统的防护等级与环境适应性。