时间：2025/6/27 10:58:43
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JMK325BJ226MY-T 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺设计。该型号适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。它具有低导通电阻和高切换速度的特点，能够在各种复杂电路环境中提供高效的电力传输性能。
该器件封装形式为TO-263（D2PAK），能够有效提高散热性能，确保长时间稳定运行。此外，其卓越的电气特性和可靠性使得 JMK325BJ226MY-T 成为许多工业级和消费级电子产品中的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.9mΩ
栅极电荷：75nC
开关频率：最高可达1MHz
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提升整体效率。
2. 高速开关能力使其非常适合高频应用环境。
3. 良好的热性能表现，得益于优化的封装设计。
4. 内置反向恢复二极管，能有效降低开关噪声并提升系统稳定性。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 强大的抗浪涌能力和短路保护功能增强了器件的耐用性。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流器或高端开关。
3. 电动车及混合动力汽车中的电机控制器。
4. 各种工业自动化设备中的负载驱动器。
5. 通信电源、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。
IRF3205, FDP55N06L, AOT460L
